gjb 548b-2005 微電子器件試驗方法和程序

1、GJBGJB548B2005548B2005微電子器件試驗方法和程序微電子器件試驗方法和程序點擊次數(shù)：181發(fā)布時間：20113114:24:07GJB548B2005代替GJB548A1996中華人民共和國國家軍用標準微電子器件試驗方法和程序Testmethodsproceduresfmicroelectronicdevice方法1009.2鹽霧(鹽汽)1目的本試驗是為了模擬海邊空氣對器件影響的一個加速的腐蝕試驗1.1術語和定義1.1

2、.1腐蝕crosion指涂層和(或)底金屬由于化學或電化學的作用而逐漸地損壞1.1.2腐蝕部位crosionsite指涂層和(或)底金屬被腐蝕的部位，即腐蝕位置1.1.3腐蝕生成物(淀積物)crosionproduct(dcposit)指腐蝕作用的結果(即銹或氧化鐵、氧化鎳、氧化錫等)。腐蝕生成物可能在原來腐蝕部位，或者由于鹽液的流動或蔓延而覆蓋非腐蝕區(qū)域。1.1.4腐蝕色斑crosionstain腐蝕色斑是由腐蝕產(chǎn)生的半透明沉淀物。1

3、.1.5氣泡blister指涂層和底金屬之間的局部突起和分離1.1.6針孔pinhole指涂層中產(chǎn)生的小孔，它是完全貫穿涂層的一種缺陷。1.1.7凹坑pitting指涂層和(或)底金屬的局部腐蝕，在某一點或小區(qū)域形成空洞1.1.8起皮flaking指局部涂層分離，而使底金屬顯露液應補滿該容器，并且應對試驗箱進行適當?shù)乜刂疲蛊錅囟确€(wěn)定(見3.1.4)。如果試驗箱中斷工作超過一個星期，即使還留有鹽溶液，也應廢棄。而且試驗箱在重新開始工作之

4、前應當進行清洗。如果鹽溶液的pH值和濃度保持在3.1.1中規(guī)定的范圍之內，允許試驗箱不連續(xù)工作。3.1.1鹽溶液為了達到3.1.4所要求的淀積速率，鹽溶液的濃度應為0.5%~3.0%(重量百分比)的去離子水或蒸餾水溶液。所用的鹽應為氯化鈉，其碘化鈉的質量百分比不得多于0.1%，且總雜質的質量百分比不得多于0.3%。在(353)℃下測量時，鹽溶液的pH值應在6.5~7.2之間。只能用化學純的鹽酸或氫氧化鈉(稀溶液)來調整pH值。3.1.2

5、引線的預處理除另有規(guī)定外，試驗樣品不應進行預處理。當有要求時(見4c)，樣品進行試驗之前，器件引線應按方法2004試驗條件B1的要求，承受彎曲應力的初始處理。如果進行試驗的樣品已經(jīng)作為其他試驗的一部分進行過所要求的初始處理，那么，其引線無需重新彎曲。3.1.3試驗樣品的安置樣品應按下述方位安置在固定的夾具上(有機玻璃棒、尼龍或玻璃纖維篩、尼龍繩等)。樣品應這樣安置，使它們彼此不接觸，彼此不遮擋，能自由地接受鹽霧作用，腐蝕生成物和凝聚物不