功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管mosfet

1、功率功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體管MOSFET摘要：文中闡述了MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性，并對(duì)動(dòng)態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡(jiǎn)介了MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路及其發(fā)展動(dòng)態(tài)。分析了功率MOSFET的幾種驅(qū)動(dòng)電路的技術(shù)特性和功率損耗，闡述了功率MOSFET。介紹了新一代MOSFET—QFET的主要技術(shù)特性，闡述了MOSFET器件的發(fā)展趨勢(shì)和研發(fā)動(dòng)態(tài)及變換器領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)。敘詞：MOSFET結(jié)構(gòu)特性驅(qū)動(dòng)電路功率損耗應(yīng)用Abstract：Thi

2、spaperelabateMOSFETframe、wkelements、staticstate、dynamicacteristic，rightdynamicacteristicimproveoncarryoutdiscuss，briefintroductionMOSFETdrivecircuitdevelopdynamic。analyzedrivecircuittechniqueacteristicpowerlossfpowerMOSF

3、ET，elabatepowerMOSFETdevelopcurrentresearchdynamicpartsofanapparatusapplyadvantageindeflectfield。。Keywds：MOSFETframeacteristicdrivecircuitpowerlossapply1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconduct金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTra

4、nsist場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductFET）簡(jiǎn)稱功率MOSFET（PowerMOSFET）。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（StaticInductionTransist——SIT）。其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)

5、動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)GfsMOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽