真空蒸鍍原理

1、真空蒸鍍原理真空蒸鍍原理ysisiy1225發(fā)表于:2008102820:24來源:半導體技術天地真空蒸發(fā)鍍膜法（簡稱真空蒸鍍）是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。由于真空蒸發(fā)法或真空蒸鍍法主要物理過程是通過加熱蒸發(fā)材料而產(chǎn)生，所以又稱熱蒸發(fā)法。采用這種方法制造薄膜，已有幾十年的歷史，用途十分廣泛。一般說來，真空蒸發(fā)（除電子束

2、蒸發(fā)外）與化學氣相沉積、濺射鍍膜等成膜方法相比較，有如下特點：設備比較簡單、操作容易；制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可較準確控制；成膜速率效率高，用掩?？梢垣@得清晰圖形；薄膜的生長機理比較單純。這種方法的主要缺點是，不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)的薄膜，所形成薄膜在基板上的附著力較小，工藝重復性好等。真空蒸發(fā)鍍膜包括以下三個基本過程：（1）加熱蒸發(fā)過程。包括由凝聚相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀啵ü滔嗷蛞合唷獨庀啵┑南嘧冞^程。每種蒸發(fā)物質(zhì)在不同溫度時有不相同的飽和蒸氣

3、壓：蒸發(fā)化合物時，其組分之間發(fā)生反應，其中有些組分以氣態(tài)或蒸氣進入蒸發(fā)空間。（2）氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的輸運，即這些粒子在環(huán)境氣氛中的飛行過程。飛行過程中與真空室內(nèi)殘余氣體分子發(fā)生碰撞的次數(shù)，取決于蒸發(fā)原子的平均自由程，以及蒸發(fā)源到基片之間的距離，常稱源—基距。（3）蒸發(fā)原子或分子在基片表面上的淀積過程，即是蒸發(fā)凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜。由于基板溫度遠低于蒸發(fā)源溫度，因此，沉積物分子在基板表面將直接發(fā)生從氣相到固相的

4、轉(zhuǎn)變過程。上述過程都必須在空氣非常稀薄的真空環(huán)境中進行。否則，蒸發(fā)物原子或分子將與大量空氣分子碰撞，使膜層受到嚴重的污染，甚至形成氧化物；或者蒸發(fā)源被加熱氧化燒毀；或者由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續(xù)的薄膜技術能量技術能量?高真空蒸鍍系統(tǒng)設計組裝?離子源輔助電子束薄膜製鍍技術?各式光學元件薄膜設計與製鍍：金屬反射膜、抗反射膜、高反射膜、帶通濾光片、雙色濾光片、分光鏡、冷鏡、熱鏡、裝飾膜等?低溫薄膜製鍍技術規(guī)格規(guī)格?可程式化自動控