2009微電子器件試卷答案

1、.....密 ......封 ......線 ......以 ......內(nèi) ......答 ......題 ......無 ......效……電子科技大學二零九至二零一零學年第一學期期末考試 電子科技大學二零九至二零一零學年第一學期期末考試微電子器件 課程考試題A卷（120 120分鐘）考試形式：閉卷 考試日期20 20也年:L月10日1、PN PN結(jié)中P區(qū)和N區(qū)的摻雜濃度分別為NA和ND，本征載流子濃度為n.kT N N勢v的表達式

2、匕-m* -m*D bi q ni2、對于單邊突變結(jié)P+N結(jié)，耗盡區(qū)主要分布在N區(qū)，該區(qū)濃度越低，則耗盡區(qū)寬度值越大， 內(nèi)建電場的最大值越??；隨著正向偏壓的增加，耗盡區(qū)寬度值降低，耗盡區(qū)內(nèi)的電場降低， 擴散電流提高；為了提高P+N結(jié)二極管的雪崩擊穿電壓，應降低N區(qū)的濃度，這將提高反向 飽和電流Is?！窘馕觥恳?、填空題（共30 30分，每空1分）則PN PN結(jié)內(nèi)建電7、對于硅材料，P+N +結(jié)的主要擊穿機理是隧道擊穿，P+N-結(jié)的主要擊穿