版圖光刻工藝熱點(diǎn)快速檢測及修復(fù)技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路生產(chǎn)工藝進(jìn)入亞波長技術(shù)節(jié)點(diǎn),由于設(shè)計變得更加復(fù)雜,使用分辨率增強(qiáng)技術(shù)修復(fù)光刻工藝熱點(diǎn)變得更加困難。為了解決這個問題,設(shè)計者在產(chǎn)品流片前必須對版圖設(shè)計中的光刻工藝熱點(diǎn)進(jìn)行檢測。因此,光刻工藝熱點(diǎn)檢查成為可制造性設(shè)計中的一項(xiàng)重要技術(shù)。
  然而半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷深入,流片中產(chǎn)生的光刻工藝熱點(diǎn)的數(shù)量變得越來越龐大,檢查速度變得越來越慢。解決上述問題,論文提出了模型優(yōu)化和局部化光刻工藝熱點(diǎn)仿真兩種方法,可以有效加速光刻工藝熱

2、點(diǎn)的檢查。PW簡化模型在保證誤報率不提升的情形下,可以提升仿真效率30%以上。局部化處理光刻工藝熱點(diǎn)檢查分為正向篩選與方向過濾。采用熱點(diǎn)庫方式的正向篩選方法,采用合適的熱點(diǎn)圖形佳尺寸,可以將光刻工藝熱點(diǎn)檢查的速度至少提升65%。論文還提出了兩種特殊的光刻工藝熱點(diǎn)檢查方法,分別是改版類型的光刻工藝熱點(diǎn)檢查與IP固化的光刻工藝熱點(diǎn)檢查。檢查效率的提升依賴于改動或固化區(qū)域的大小,區(qū)域越小效率越高。
  工藝熱點(diǎn)的查找完成后,設(shè)計者必然需

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