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文檔簡(jiǎn)介
1、本文以 SnO2為基質(zhì),進(jìn)行 Ni、Nb兩種雜質(zhì)的分別摻雜和共同摻雜,采用溶膠-凝膠法和旋涂技術(shù)制備出其薄膜樣品。利用XRD、SEM、XPS、FTIR、四探針電阻儀和分光光度計(jì)等儀器對(duì)薄膜樣品進(jìn)行表征。結(jié)果表明:煅燒溫度500℃,得到結(jié)晶良好的四方金紅石型SnO2:Ni復(fù)合薄膜、SnO2:Nb復(fù)合薄膜以及SnO2:Ni,Nb透明導(dǎo)電薄膜。薄膜中晶粒均勻的分布,膜表層十分平整。Ni2+、Nb5+以替代原子的方式進(jìn)入 SnO2晶胞, Ni2
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