喹諾酮類藥物分子印跡傳感器的研究.pdf

1、分子印跡技術(molecular imprinting technology)是合成對某一特定目標分子(印跡分子，模板分子)具有特異選擇性的聚合物，具有預定性，較高的識別性，抗外界環(huán)境干擾性強，可重復使用等的優(yōu)點，其在電化學傳感器領域的應用近些年引起廣泛關注。分子印跡聚合物膜固定在電極上的方法有很多種，其中電化學聚合法具有制備簡單、膜厚可控、膜在電極上的附著力能力強、重現(xiàn)性好等的特點，用該方法制備傳感器可以提高工作效率。
　　本論

2、文簡要介紹了喹諾酮類藥物的應用現(xiàn)狀，將分子印跡技術與電化學技術相結合，利用電化學聚合法獲得了喹諾酮類藥物分子印跡電化學傳感器。用方波伏安法(SWV)表征對分子印跡電化學傳感器的性能，并將其應用于藥物制劑的檢測。其主要內(nèi)容概述如下:
　　(1)吡咯(Py)和鄰苯二胺(o-PD)為復合單體，鹽酸環(huán)丙沙星(CPX)為模板，采取循環(huán)伏安法(CV)合成了一種鹽酸環(huán)丙沙星傳感器。采用方波伏安法研究了該傳感器對鹽酸環(huán)丙沙星的響應特性，在最優(yōu)的實

3、驗條件下，實驗結果表明在1.0×10-3～1.6×10-9mol/L范圍內(nèi)，分子印跡電化學傳感器的峰電流差(△i)與鹽酸環(huán)丙沙星濃度的對數(shù)呈現(xiàn)線性(相關系數(shù)為R=0.9981)，最低檢測限為7.58×10-11mol/L(S/N=3)，該印跡傳感器具備良好的選擇性，將該印跡傳感器測定實際藥片中的鹽酸環(huán)丙沙星含量，其標準偏2.01％～3.27％。
　　(2)以吡咯和鄰苯二胺為單體，恩諾沙星(EF)為模板，通過電聚合法合成了一種對恩諾

4、沙星具有特異選擇性的分子印跡電化學傳感器。通過方波伏安法表征了該印跡電極的電化學性能，實驗證明恩諾沙星傳感器表現(xiàn)出了選擇性好，靈敏度高，對恩諾沙星的線性檢測范圍是1.0×10-4～1×10-10 mol/L，相關系數(shù)R=0.9994，檢測限6.57×10-13mol/L(S/N=3)，該傳感器成功測定了藥物中恩諾沙星的含量。
　　(3)利用分子印跡技術和電化學聚合方法結合的方法制備諾氟沙星分子印跡傳感器。通過方波伏安法研究該傳感器