PZT壓電薄膜制備與血紅蛋白QCM檢測.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、鈣鈦礦結構的鋯鈦酸鉛[Pb(ZrxTi1-x)O3, PZT]壓電薄膜因其優(yōu)越的壓電性能、介電性能、鐵電性能以及易與半導體技術兼容等特點,被廣泛應用于壓電傳感器、鐵電存儲器、超聲換能器等。基于PZT膜的器件具有高頻率帶寬、響應速度快和靈敏度高等優(yōu)點,PZT薄膜的制備、結構、性能及其應用已成為國際上新材料研究的熱點。
  本文在綜述了 PZT壓電薄膜的制備和應用的基礎上,采用溶膠-凝膠(sol-gel)法和快速熱處理(RTA)技術先

2、在(111)Pt/Ti/SiO2/Si基片上制備鎳酸鑭(LaNiO3, LNO)緩沖層,再在LNO緩沖層上制備Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜,對PZT溶膠和薄膜進行了TEM、FTIR、粘度、差熱-熱重、XRD、SEM一系列表征分析,研究了LNO緩沖層以及不同退火溫度對PZT薄膜的生長取向和結晶質量的影響。研究結果表明,溶膠的粒徑在50 nm以內,650℃為最佳退火溫度,此時的PZT薄膜是純鈣鈦礦相,有LNO緩沖層的Pb(Zr0

3、.52Ti0.48)O3薄膜具有(100)、(110)、(200)擇優(yōu)取向,平均晶粒尺寸約35.5 nm,結晶度為83.19%,薄膜表面平整、致密,厚度約2μm,呈現柱狀生長。
  血紅蛋白(Hb)是人體血液中一個非常重要的生理指標,特別是對于運動員身體活動能力的評價以及貧血的檢查,因此血紅蛋白的測定具有重要的臨床意義。本文基于血紅蛋白與苦味酸在一定條件下發(fā)生沉淀反應以及石英晶體微天平(QCM)對其表面質量變化的高靈敏性,首次提出

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