激光干涉誘導表面微結構對電化學刻蝕InP行為影響的研究.pdf

1、激光干涉刻蝕技術是目前較為先進的有序納米陣列制備技術，該技術能在樣品表面實現(xiàn)規(guī)則點陣的制備，但是在對半導體基底刻蝕時，難以實現(xiàn)深度刻蝕。與之相比較，電化學刻蝕存在刻蝕速度較快，能在短時間內(nèi)實現(xiàn)深度刻蝕的優(yōu)點，是一種設備廉價、工藝簡單、高效且能在大氣環(huán)境下進行納米陣列結構制備的方法。本論文將激光干涉刻蝕技術與電化學刻蝕技術有機結合，研究激光干涉刻蝕后形成坑蝕對電化學刻蝕的影響。首先，研究了電流和溫度對電化學刻蝕制備多孔InP的影響，發(fā)現(xiàn)溫

2、度一定時隨著電流密度的增加多孔InP表面形貌并未有明顯的變化而截面形貌則呈現(xiàn)有規(guī)律的變化，電流一定時隨著溫度的升高多孔InP截面形貌中念珠狀多孔層會逐漸消失。明確了電化學刻蝕過程中電壓隨時間變化關系曲線能夠直接反映多孔InP的截面形貌。接著，利用MATLAB軟件模擬了四光束激光干涉形成的干涉圖案，針對入射角度的改變，分析了干涉場內(nèi)的光強分布。最后，搭建四光束干涉系統(tǒng)，利用1064nm激光干涉對n-InP(100)表面直寫曝光，獲得了比較