激光等離子體極紫外光源液滴錫靶發(fā)生器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、自IC誕生以來，其速度和成本一直遵循著摩爾定律進化，速度越來越快，而芯片所占面積越來越小，進而成本越來越低。芯片所占面積主要由光刻的工藝能達到的線寬決定，在IC光刻工藝中，線寬與光刻所用光源的波長有著密切的關(guān)系。目前基于深紫外光源的光刻技術(shù)所能達到的線寬已越來越接近其極限。在下一代光刻技術(shù)中，13.5納米的采用液滴靶的激光等離子體極紫外光源被看做是一種很有前途的光源。在激光等離子體極紫外光源中，液滴錫靶是相當(dāng)重要的一部分。液滴錫靶的原理

2、在于通過某種方式對錫射流進行擾動，在合適的條件下使錫流斷裂，進而得到均勻的液滴錫靶，在得到液滴錫靶之后，通過激光轟擊錫靶得到等離子體進而得到極紫外光。
　　本論文主要就激光等離子體極紫外光源中的液滴錫靶發(fā)生器的設(shè)計制造做一些研究，通過對關(guān)鍵器件選型，搭建實驗平臺做一些調(diào)試，解決系統(tǒng)調(diào)試中的一些細小的問題，為將來設(shè)計制造實用的液滴錫靶發(fā)生器積累經(jīng)驗、打下基礎(chǔ)。
　　論文主要論述了：
　　(1)描述了用于極紫外光源的液滴錫

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