放電等離子體極紫外光譜測量及分析.pdf

1、極紫外(Extreme Ultraviolet, EUV)光刻技術被認為是下一代最有前途的光刻技術之一，而其中的光源被認為是影響EUV光刻技術大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的首要問題。放電等離子體(Discharge Produced Plasma, DPP)EUV光源將電能直接轉換為等離子體能，大幅度提高了能量轉換效率，而且裝置簡化，投資及運營成本低，易于操作維護，更適合于商業(yè)化生產(chǎn)，是目前實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)要求EUV光源的首選方式。本文在現(xiàn)有EUV裝

2、置上開展了一系列實驗，為下一步氙氣放電產(chǎn)生13.5nm輻射光做好了準備。同時，本文對探討快脈沖、大電流對氣體擊穿特性的影響也有借鑒意義。
　　本文首先分析了基于毛細管放電Z箍縮方式的DPP EUV光源的物理過程和等離子體輻射連續(xù)譜產(chǎn)生原理及影響因素。給出了毛細管擊穿電壓與氣體及氣壓的關系式，并在雪耙模型的基礎上給出了約束等離子體電流及等離子體電離度的計算公式。這些基本理論為后面的實驗及光譜分析提供了理論依據(jù)。
　　詳細介紹了

3、實驗室現(xiàn)有的EUV光源系統(tǒng)，并在真實負載條件下完成了對預、主脈沖電源放電性能測試，這為以后的預-主脈沖延時工作提供了實驗依據(jù)。完成了測譜儀器羅蘭圓譜儀的標定，并且在實際放電過程中利用羅蘭圓譜儀本身的特點拓展了標定數(shù)據(jù)點范圍，提高了標定精度和標定范圍，為后面的實驗提供了精確度比較高的測譜儀器。
　　利用主脈沖電源對不同氣壓條件下的氬氣、氮氣和氦氣放電，分析放電輻射譜，研究氣體種類和氣壓對輻射譜的影響，分析現(xiàn)有裝置放電電流對不同氣體的