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文檔簡介
1、1836年,H.F.Talbot將一束單色平面光照射在一周期性陣列光柵上,發(fā)現(xiàn)在光柵后方一些特定位置,可觀測到光柵的自身像,這種光學自成像現(xiàn)象被定義為泰伯(Talbot)效應。Talbot效應在周期性陣列光分束器件中廣泛存在,正是由于Talbot效應所產生的自成像的簡潔與精細,關于這方面的研究已吸引了大量學者的關注。
摻鎂鈮酸鋰(MgLN)晶體有極好的非線性光學性能,使其成為研制周期性陣列光分束器件的首選材料。本文首先使用摻鎂
2、鈮酸鋰晶體制備了二維六角位相陣列光分束器,并對其Talbot效應進行了研究。通過調制外加電場,實現(xiàn)了對光分束器近場衍射光強分布的調制,在此基礎上,研究了占空比D、位相差△ψ及泰伯分數(shù)β對光分束器近場衍射光強分布的影響。同時,隨著集成光學領域的快速發(fā)展,人們更為期待不施加外調制電場下的可調陣列光分束器件,因此在前期研究基礎上,制備了疇腐蝕摻鎂鈮酸鋰二維陣列光分束器,可通過改變光分束器的腐蝕時間調制位相差Δψ,從而實現(xiàn)對近場衍射光強分布的調
3、制,這為周期陣列光分束器件進一步在光學領域的應用打下了基礎。本文主要研究的內容有:
1.簡要介紹了Talbot效應的由來、發(fā)展狀況及其應用。
2.介紹了摻鎂鈮酸鋰晶體的結構及其特性,并對晶體鐵電疇的極化反轉機制進行了研究,通過外加極化電場法制備了周期極化摻鎂鈮酸鋰晶體陣列光分束器。
3.對外加電場可調位相陣列光分束器進行了理論研究,通過數(shù)值模擬得到了不同條件下的衍射自成像圖。在理論研究的基礎上,設計并制備了
4、摻鎂鈮酸鋰二維六角位相陣列光分束器,對其進行了通光實驗,實驗結果與理論研究結果一致。
4.理論分析了疇腐蝕摻鎂鈮酸鋰晶體二維陣列光分束器在不同條件下的近場光衍射強度分布。在理論分析的基礎上,設計并制備了具有不同占空比D及不同腐蝕程度的疇腐蝕陣列光分束器,對其進行通光實驗,實驗結果與理論分析結果相符。考慮到疇腐蝕會破壞陣列光分束器的表面結構,這并不利于其在精密光學領域中的應用,因此,下一步工作將圍繞進一步減小光分束器腐蝕程度來展
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