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文檔簡介
1、從集成電路的誕生到現(xiàn)在的短短半個多世紀(jì),快速發(fā)展的集成電路技術(shù),為電子信息科學(xué)發(fā)展注入了新的活力,推動了計算機、通信、消費類電子、移動互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。集成電路的工藝和集成電路設(shè)計方法學(xué)的不斷進步,促進集成電路的高速發(fā)展。一方面,隨著集成電路器件特征尺寸按比例縮小到納米尺度,電路工作頻率達到GHz,互連線寄生效應(yīng)帶來的互連線串?dāng)_、IR-drop、延遲、噪聲等越來越嚴(yán)重,互連線成為影響集成電路性能和可靠性的關(guān)鍵因素。因此,集成電路設(shè)計
2、方法學(xué)經(jīng)歷了從以器件為中心的設(shè)計轉(zhuǎn)變到以互連線為中心的設(shè)計的變革,寄生參數(shù)提取成為以互連線為中心的第二代集成電路設(shè)計方法學(xué)的核心科學(xué)問題。另一方面,持續(xù)的工藝技術(shù)的進步驅(qū)動了集成電路不斷的微小型化,但是隨著一些工藝技術(shù)開始達到物理極限,器件特征尺寸的進一步縮小將會導(dǎo)致技術(shù)和成本兩方面面臨越來越大的挑戰(zhàn),三維芯片(Three dimensional integratedcircuit,3D IC)成為繼續(xù)驅(qū)動集成電路沿著摩爾定律道路不斷前
3、進最有希望的技術(shù)。三維集成電路是一種系統(tǒng)級構(gòu)架新方法,它通過硅通孔(Through-silicon via,TSV)垂直互連實現(xiàn)多平面芯片的層疊。相比與二維平面芯片,三維芯片能夠提高芯片器件密度、減小信號延遲、降低芯片功耗,同時通過TSV垂直互連實現(xiàn)的三維芯片同質(zhì)集成或異質(zhì)集成,能比傳統(tǒng)系統(tǒng)集成芯片(SoC)能夠提供更好的性能。雖然三維芯片能夠帶來電性能方面的巨大收益,然而嚴(yán)重的散熱問題極大影響三維芯片的性能和可靠性。
基
4、于以上兩方面因素,本文集中研究集成電路互連線建模與分析方法,包括大規(guī)模復(fù)雜結(jié)構(gòu)集互連線寄生電容參數(shù)提取算法研究和多TSV垂直互連結(jié)構(gòu)的三維芯片熱分析方法的研究。本論文針對從版圖提取、初始網(wǎng)格生成到全自動的寄生參數(shù)提取與三維芯片熱分析等各個步驟展開了研究。
互連線參數(shù)提取廣泛應(yīng)用于構(gòu)造互連線等效電路模型,是超大規(guī)模集成電路設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)之一;三維芯片熱分析是三維芯片設(shè)計面臨的首要挑戰(zhàn),為EDA領(lǐng)域的熱點研究領(lǐng)域之一。集成電路
5、龐大的、復(fù)雜的互連線結(jié)構(gòu)以及幾百上千的TSV垂直互連線結(jié)構(gòu)分別對寄生參數(shù)提取和三維芯片熱分析都帶來了計算復(fù)雜度的瓶頸問題。本論文首次將并行自適應(yīng)有限元(Adaptive finiteelement method,AFEM)應(yīng)用于集成電路互連線建模與分析方法的研究,主要包括并行自適應(yīng)有限元互連線電容提取算法(ParAFEMCap)和并行自適應(yīng)有限元三維芯片穩(wěn)態(tài)熱分析方法(ParAFEMThermo)。本文提出的ParAFEMCap和Par
6、AFEMThermo算法具有很高的并行擴展性和數(shù)值精度。首先,通過采用一些先進的并行技術(shù),比如并行網(wǎng)格加密和動態(tài)負(fù)載平衡技術(shù),本文提出的ParAFEMCap和ParAFEMThermo算法具有很高的并行擴展性。目前已知,ParAFEMCap是第一個能并行運行在成百上千CPU核上的電容提取的場求解器。其次,本文提出的ParAFEMCap和ParAFEMThermo算法基于自適應(yīng)有限元(Adaptive FEM),能夠以理論可證的最優(yōu)收斂的
7、方式收斂到問題的精確解。通過改變后驗誤差估計子的閾值,ParAFEMCap和ParAFEMThermo解的精度能夠很容易的得到控制,同時通過增加CPU核的數(shù)目,ParAFEMCap和ParAFEMThermo運行時間能夠迅速的減小。再次,本文提出的ParAFEMCap算法具有線性復(fù)雜度,使得ParAFEMCap對于大規(guī)?;ミB線電容提取具有非常大的優(yōu)勢,同時ParAFEMThermo也是具有強大計算能力的高性能三維芯片熱分析工具。
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