基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的離子束拋光工藝參數(shù)算法研究.pdf

1、離子束拋光技術(shù)是一種超精密加工技術(shù)。其最關(guān)鍵的控制因素就是駐留時(shí)間和去除函數(shù)。因此本文對(duì)這兩個(gè)參數(shù)進(jìn)行了研究分析。
　　首先，對(duì)離子束加工的原理進(jìn)行了研究。對(duì)離子束入射角度與濺射產(chǎn)額，離子束入射能量與濺射產(chǎn)額的關(guān)系進(jìn)行了分析，得到濺射產(chǎn)額隨角度增大呈現(xiàn)先增大后減小趨勢(shì)，74°左右濺射產(chǎn)額達(dá)到最大。而且，濺射產(chǎn)額隨能量的增大而增大。
　　其次，建立了去除函數(shù)數(shù)學(xué)模型?？梢缘玫饺コ瘮?shù)與濺射產(chǎn)額之間存在密切的聯(lián)系。因此，我們得出

2、要實(shí)現(xiàn)去除函數(shù)的多角度控制，必須建立起角度與濺射產(chǎn)額之間的關(guān)系。因此，我們基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)去除函數(shù)的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行運(yùn)算，并對(duì)BP網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)進(jìn)行了合理選取，運(yùn)用訓(xùn)練好的網(wǎng)絡(luò)對(duì)角度和濺射產(chǎn)額之間的對(duì)應(yīng)進(jìn)行推算。
　　第三，采用CEH模型的線性方程組求解駐留時(shí)間時(shí)，發(fā)現(xiàn)這種方法可以完全克服邊緣效應(yīng)。但是，由于這種方法存在病態(tài)性，因此，采用了TSVD正則化求解法來彌補(bǔ)這個(gè)缺陷。并得到駐留時(shí)間、殘差與截?cái)鄥?shù)k的關(guān)系呈現(xiàn)“L”形曲線，而且k