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1、21世紀(jì)以來,人類進(jìn)入了信息化時(shí)代,人們對(duì)信息的依賴和需求越來越高。芯片制造技術(shù)的進(jìn)步使得集成電路的成本不斷降低,但是集成電路的測(cè)試成本卻幾乎不變,這就使得人們開始追求和開發(fā)更加廉價(jià)的測(cè)試技術(shù)和設(shè)備。同時(shí)隨著通信等各種技術(shù)的日益進(jìn)步,人們對(duì)存儲(chǔ)器的容量和性能提出了更高的要求。由于同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)具有存儲(chǔ)容量大,操作速度快,以及價(jià)格低廉等優(yōu)勢(shì)而得到了廣泛的使用。但是SDRAM存儲(chǔ)器對(duì)時(shí)序的要求較高和有定時(shí)刷新的需要,因此在
2、使用前需對(duì)SDRAM進(jìn)行各種相關(guān)的測(cè)試以確保SDRAM的完好性。
本文以一款SDRAM芯片IS42S16320B為例,利用FPGA技術(shù)和泰瑞達(dá)測(cè)試設(shè)備J750分別對(duì)SDRAM的功能和電性能等特性進(jìn)行測(cè)試。
首先生成控制SDRAM時(shí)序和控制器時(shí)序的PLL鎖相環(huán)。PLL鎖相環(huán)的是根據(jù)控制SDRAM時(shí)序和控制器時(shí)序的超前和滯后情況進(jìn)行設(shè)置。利用SOPC Builder建立SDRAM控制器,再利用NiosⅡ IDE集成開發(fā)環(huán)
3、境建立和編寫功能測(cè)試程序。功能測(cè)試包括地址線檢測(cè)、數(shù)據(jù)線檢測(cè)和存儲(chǔ)空間檢測(cè),存儲(chǔ)空間檢測(cè)又包括0x55測(cè)試、0xaa測(cè)試和全空間累加測(cè)試。經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證,此功能測(cè)試平臺(tái)能較好地檢驗(yàn)SDRAM芯片的工作狀態(tài)。
SDRAM電性能是在Teradyne設(shè)備J750進(jìn)行測(cè)試的。測(cè)試前利用Teradyne IG-XL軟件編寫測(cè)試程序和利用測(cè)試向量生成器編寫在相關(guān)測(cè)試時(shí)所用的測(cè)試向量測(cè)試向量。在此測(cè)試中,主要包括SDRAM引腳的開短路測(cè)試、D
4、C參數(shù)測(cè)試和標(biāo)準(zhǔn)功能檢測(cè)。DC參數(shù)測(cè)試主要包括漏電流(ⅡL與IOL)測(cè)試、VOL/IOL測(cè)試、VOH/IOH測(cè)試。J750測(cè)試出來的DC參數(shù)與IS42S16320B的電特性參數(shù)進(jìn)行對(duì)比,自動(dòng)獲取測(cè)試結(jié)果。經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證,此測(cè)試能很好的完成SDRAM電特性參數(shù)的檢驗(yàn)。
通過對(duì)SDRAM的功能和電特性測(cè)試,本文對(duì)SDRAM芯片進(jìn)行了深入的研究。該研究能很好的完成SDRAM的功能和電特性的檢測(cè),為SDRAM芯片的應(yīng)用提供良好的質(zhì)量保證
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