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文檔簡介
1、本文進行的工作是在硅微通道結構釋放技術方面，以不同質量分數(shù)的TMAH溶液對硅背部進行腐蝕，從實驗結果中分析了不同質量分數(shù)的TMAH溶液中硅的腐蝕速率以及不同質量分數(shù)的TMAH溶液中硅腐蝕后的表面平整度，從而證明了用濕法腐蝕技術進行硅微通道背部減薄是可行的，腐蝕速率也是比較容易控制的；在不同質量百分比的TMAH溶液中，結構釋放后硅表面的平整度也是不同的。在硅微通道整形技術方面，通過設計特殊的光刻掩模板從而鎖定硅表面的特定區(qū)域，用臺階儀測量
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