硅微通道陣列氧化絕緣技術(shù)及應(yīng)力問題研究.pdf_第1頁(yè)
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1、硅微通道在微光夜視，光電倍增管，X-射線增強(qiáng)器等領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。為了滿足微通道板電子倍增器件的要求，需要使用熱氧化的方法在微通道內(nèi)部產(chǎn)生一層起電絕緣作用的二氧化硅，二氧化硅薄膜層具有高擊穿電壓，可滿足電子倍增器對(duì)高壓的要求。所以在氧化過程中要找到合適的參數(shù)值和制備工藝，使得二氧化硅絕緣層的厚度、擊穿電壓滿足要求。本文主要針對(duì)在制備二氧化硅薄膜過程中的氧化絕緣和熱應(yīng)力問題進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)分別對(duì)硅微通道陣列在干氧氧化8小時(shí)和濕氧氧化8小時(shí)

2、，制得的干氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為458nm和制得濕氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為1.4μm。并且在48小時(shí)濕氧氧化條件下，制的二氧化硅絕緣層擊穿電壓大于1000V。
　　通過ANSYS軟件模擬分析硅微通道陣列上二氧化硅絕緣層應(yīng)力分布主要區(qū)域。熱應(yīng)力較大的區(qū)域分布在硅片Si-SiO2界面處，選用模擬條件1100℃氧化溫度硅微通道進(jìn)行模擬分析，得出熱應(yīng)力最大值為420.639MPa。并通過退火制備出表面擊穿電壓分布均勻的二氧化硅絕緣層

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