SOI硅光衰減器及硅微通道打拿極的初步研究.pdf

1、可調(diào)諧光衰減器是基于WDM技術(shù)的全光網(wǎng)絡(luò)中最基本的光器件之一，是實(shí)現(xiàn)全光交換的瓶頸技術(shù)之一。目前市場(chǎng)上傳統(tǒng)的可調(diào)式光衰減器是體光機(jī)械式，但其體積大、價(jià)格昂貴、低響應(yīng)。這種低響應(yīng)的器件不能用來(lái)進(jìn)行有源光功率的調(diào)整。本文提出了一種新型的基于SOI材料的MEMS懸臂梁型可調(diào)諧光衰減器，可對(duì)光通信網(wǎng)絡(luò)中光信號(hào)的變化進(jìn)行實(shí)時(shí)補(bǔ)償和穩(wěn)定波分復(fù)用光纖放大器的增益。本文研究了可調(diào)諧光衰減器的設(shè)計(jì)原理和器件結(jié)構(gòu)，并用ANSYS軟件對(duì)器件進(jìn)行加載的有限元?jiǎng)?/p>

2、態(tài)模擬，根據(jù)模擬結(jié)果優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了該器件的版圖，探索了器件工藝，制作出基于BESOI的光衰減器，開(kāi)展了測(cè)試環(huán)節(jié)的光路調(diào)節(jié)等工作，總結(jié)了在測(cè)試過(guò)程中所要解決的困難和今后的改進(jìn)方向。 硅微通道板是自90年代以后提出的一種全新的基于半導(dǎo)體工藝技術(shù)而形成圖像增強(qiáng)器件。打拿極是該器件中實(shí)現(xiàn)電子倍增的重要組成部分，與傳統(tǒng)的玻璃微通道板打拿極相比在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了將襯底材料和打拿極材料相分開(kāi)的突破，同時(shí)也將微通道列陣和打拿極制備工藝分

3、開(kāi)，使連續(xù)打拿極的材料選擇范圍變寬。本文主要研究了連續(xù)打拿極發(fā)射材料特性，探索了硅微通道板打拿極形成的工藝技術(shù)。實(shí)驗(yàn)采用的硅微通道板是本實(shí)驗(yàn)室利用自行開(kāi)發(fā)的電化學(xué)刻蝕的自分離工藝制備的，通過(guò)高溫氧化在微通道壁上形成SiO2，利用LPCVD在硅微通道板內(nèi)壁形成多晶硅薄膜作為打拿極的導(dǎo)電層，再在其表面形成高電子發(fā)射系數(shù)的SiO2薄膜作為二次電子發(fā)射層，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制多晶硅厚度可以獲得較高板電阻，但在多晶硅表面形成發(fā)射層還需進(jìn)一步工作。論