銅引線鍵合工藝中焊盤內(nèi)傷失效機理研究和改進.pdf

1、目前純銅引線鍵合（焊接）技術(shù)是半導體封裝工藝上應用時間相對較短、技術(shù)還不太成熟但市場占有率越來越高的芯片封裝技術(shù)。伴隨著引線鍵合各項技術(shù)指標的逐步提高,傳統(tǒng)的金線、鋁線已逐步淡出分立器件市場。而純銅線在芯片引線鍵合方面具有良好的機械性能和導電、熱性能,用純銅線替代價格昂貴的金線和機械性能較差的鋁線可縮小焊盤間距,降低器件外觀尺寸和提高器件可靠性，但是銅的表面易氧化而使其可鍵合性能發(fā)生改變。隨著引線鍵合速度不斷提高，另一個純銅引線鍵合中的

2、大問題也隨之出現(xiàn)：鍵合熔球擊傷焊盤內(nèi)部的問題。當封裝器件處于失效臨界時，器件可以通過毫秒級的瞬間測試，如果器件的可靠性差，將會發(fā)生客戶在使用過程中出現(xiàn)間隙性失效或隨溫度環(huán)境發(fā)生改變失效的現(xiàn)象。
　　論文首先介紹了引線鍵合的基本要素，然后通過對可能在引線鍵合中導致焊盤內(nèi)傷的影響因素--材料、自由熔球形成、鍵合條件、引線鍵合頭運行軌跡、機器振動、夾具、劈刀壽命、溫度特性、超聲波強度及特性等進行了分析，并針對分析出來的關(guān)鍵因素進行了多因