多物理場耦合方法分析三種封裝模塊可靠性.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電子產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用于航空航天、國防等領(lǐng)域。電子產(chǎn)品體積越來越小,而功率越來越大,導(dǎo)致電子封裝發(fā)熱量增大,溫度過高會影響電子器件性能,甚至導(dǎo)致器件燒毀。同時,由于封裝材料熱膨脹系數(shù)的差異,過高的溫度梯度會產(chǎn)生熱應(yīng)力應(yīng)變,導(dǎo)致斷裂及分層。因此,對電子封裝可靠性的分析非常重要。電子封裝是一個多學(xué)科交叉的領(lǐng)域,求解可靠性涉及到多個物理場。本文結(jié)合理論研究、數(shù)值分析和實驗,運用多物理場耦合分析方法對常見的幾種電子封裝形式進(jìn)行了可靠性分析。

2、   分析了流場,溫度場的耦合并將其應(yīng)用于IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的分析。
   電場仿真計算得到IGBT芯片最大功耗為131W。將131W作為輸入載荷代入流場與溫度場耦合分析中,結(jié)果表明表面?zhèn)鹘y(tǒng)散熱方式不能滿足IGBT熱管理要求。因此設(shè)計了一種內(nèi)置于銅基板的微通道,分析表明,當(dāng)入口水流速為10m/s時,芯片溫度維持在100℃左右,表明含微通道基板散熱效果良好。
   研究了溫度場和應(yīng)力場耦合方法并運用此方法對

3、TSV(穿孔硅封裝)在溫度循環(huán)載荷下的可靠性進(jìn)行分析。研究了TSV焊盤高度和焊球形狀對其可靠性的影響,結(jié)果表明焊盤高度越小,可靠性越高。當(dāng)焊球形狀為圓柱狀時,可靠性較好;隨著焊球半徑增大,可靠性降低;應(yīng)力最大點在Si與SiO2交界面處。通過有限元分析確定了各個材料尺寸對最大應(yīng)力的影響,發(fā)現(xiàn)銅柱的高度對最大應(yīng)力影響最大。在以上分析基礎(chǔ)上對尺寸進(jìn)行優(yōu)化,最大應(yīng)力從72.5MPa降低到67.7MPa。
   在以上分析的基礎(chǔ)上討論了流

4、場、溫度場、應(yīng)力場耦合方法的重要性。結(jié)果表明,對于傳統(tǒng)方法,當(dāng)H(對流換熱系數(shù))從5W/m2*K增大到10W/m2*K時,PBGA最高溫度從165.38℃降低到70.387℃。流場、溫度場、應(yīng)力場耦合方法避免對流換熱系數(shù)的隨意選取,得到的溫度場,應(yīng)力場更為準(zhǔn)確。設(shè)計實驗驗證該耦合方法可靠性。結(jié)果表明,實驗結(jié)果和流體-熱-應(yīng)力耦合數(shù)值分析結(jié)果誤差小于10%,證明此方法是可行的。
   最后將此方法運用于PBGA可靠性分析中,結(jié)果表

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