基于9管單元的高讀穩(wěn)定性低靜態(tài)功耗存儲器設(shè)計.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝特征尺寸不斷縮小，芯片逐漸進入納米階段，靜態(tài)功耗在總功耗中的比例迅速增加。同時工作電壓的降低，隨機摻雜導(dǎo)致的閾值電壓變化增大，給SRAM(static random access memory)的讀寫穩(wěn)定性也帶來了挑戰(zhàn)。本文即針對130nm工藝下存儲器的讀穩(wěn)定性和靜態(tài)功耗問題進行了分析和設(shè)計。
　　本文首先對靜態(tài)低功耗技術(shù)和穩(wěn)定性技術(shù)做了介紹，然后對9管存儲單元的結(jié)構(gòu)、原理和性能做了深入的研究，由理論

2、分析及仿真對其尺寸進行了優(yōu)化和確定。并通過與傳統(tǒng)的6管單元在相關(guān)性能上的比較闡述了其在靜態(tài)功耗和讀穩(wěn)定性上的優(yōu)點，得到了9管單元的噪聲容限比傳統(tǒng)6管單元提高了1倍左右，靜態(tài)功耗降低了20％左右的結(jié)論。接下來介紹了SRAM存儲器的整體設(shè)計思路及其工作原理，確定了所需外圍電路的種類并對SRAM存儲器整體結(jié)構(gòu)做了相應(yīng)規(guī)劃。
　　本文以9管存儲單元為核心設(shè)計了一個8k容量的SRAM。具體結(jié)構(gòu)包括存儲單元陣列；地址譯碼電路；靈敏放大電路；位