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1、集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對(duì)硅片傳輸機(jī)器人工作環(huán)境的潔凈度及真空度提出了更高的要求。與傳統(tǒng)機(jī)械密封相比,磁流體密封具有氣密性高、低功耗、無(wú)污染、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),能夠滿足真空硅片加工環(huán)境的密封要求。因此,研究應(yīng)用于真空硅片傳輸機(jī)器人的磁流體密封技術(shù)及設(shè)計(jì)方法具有重要意義。
本文分析了國(guó)內(nèi)外硅片傳輸機(jī)器人和磁流體密封技術(shù)的發(fā)展和研究現(xiàn)狀。根據(jù)磁流體力學(xué)理論推導(dǎo)出了磁流體密封的耐壓公式,得出合理設(shè)計(jì)磁流體密封結(jié)構(gòu)參數(shù)以提高密封
2、間隙內(nèi)的磁場(chǎng)梯度是增強(qiáng)磁流體密封耐壓能力的關(guān)鍵。建立了雙軸磁流體密封結(jié)構(gòu)的磁場(chǎng)分析模型,利用ANSYS有限元分析軟件求解了密封結(jié)構(gòu)的非線性磁場(chǎng)分布情況,得到了內(nèi)、外軸密封間隙內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度分析結(jié)果。以此為基礎(chǔ),分析了密封結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)密封壓差的影響情況,指出了雙軸磁流體密封結(jié)構(gòu)中影響密封壓差的重要結(jié)構(gòu)參數(shù)的最優(yōu)取值區(qū)間。根據(jù)雙軸磁流體密封結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)的已有結(jié)論,結(jié)合硅片傳輸機(jī)器人的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),設(shè)計(jì)了一種具有雙軸磁流體密封結(jié)構(gòu)的硅片傳輸機(jī)器人;依
3、據(jù)三軸磁流體密封相對(duì)于雙軸磁流體密封的徑向擴(kuò)展性及結(jié)構(gòu)相似性,設(shè)計(jì)了一種具有三軸磁流體密封結(jié)構(gòu)的硅片傳輸機(jī)器人。以上兩種機(jī)器人均具備R、θ及Z等三個(gè)自由度,能在保證硅片制造環(huán)境真空度及潔凈度的同時(shí)滿足硅片傳輸?shù)膭?dòng)作要求。設(shè)計(jì)并搭建了三軸磁流體密封實(shí)驗(yàn)臺(tái),經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試得出本文所研究設(shè)計(jì)的應(yīng)用于硅片傳輸機(jī)器人三軸磁流體密封裝置的靜密封耐壓能力約為2.3個(gè)大氣壓,動(dòng)密封耐壓能力在轉(zhuǎn)軸速度為200-300r/min時(shí)接近靜密封耐壓值,從而驗(yàn)證了三
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