LDD-CMOS的ESD以及相關(guān)機理研究.pdf

1、文章針對LDD-CMOS器件的ESD以及相關(guān)機理進行了深入的研究.對ESD潛在損傷的機理、特性以及與其它失效機理的關(guān)系進行了分析和討論.文章指出,LDD GG-nMOS在Snapback作用下,柵氧化層與漏區(qū)的交疊處引入空穴注入,同時漏結(jié)產(chǎn)生輕微損傷,這是CMOS I/O保護電路ESD潛在損傷的主要根源.同時,熱載流子壽命也會隨之降低.相比之下,高水平ESD產(chǎn)生的損傷主要在交疊區(qū)下的漏結(jié)處,對器件的閾值電壓幾乎沒有影響.對于LDD gg

2、-nMOS而言,隨著應(yīng)力的變化,即從熱載流子、Snapback到ESD,其損傷的位置相應(yīng)的從柵氧化層向漏結(jié)方向轉(zhuǎn)移,從電荷注入模型入向熱電模型轉(zhuǎn)化.另外,交疊區(qū)柵氧化層電容較上是LDD-nMOS抗?jié)撛贓SD損傷能力較差的主要原因.同時,研究發(fā)現(xiàn),被保護電路中LDD-nMOS的漏電具有積累性,在這種情況下,ESD應(yīng)力引入了界面態(tài)和柵氧化層空穴陷阱.文章還深入研究了ESD潛在損傷的恢復(fù)特性,發(fā)現(xiàn)熱應(yīng)力可以有效的減少ESD生產(chǎn)的界面態(tài),而CV