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文檔簡介
1、在制造工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種用來實現(xiàn)晶圓平坦化的技術(shù)。雖然CMP具有良好的平坦化效果，但是由于下層版圖圖形密度的不均勻，會導(dǎo)致拋光后電介質(zhì)厚度的變化不均勻。冗余填充是應(yīng)用非常廣泛的CMP平坦化增強(qiáng)技術(shù)?？墒羌尤脒@些冗余填充對互連線之間的耦合電容會產(chǎn)生較大的影響。
本文給出了一種基于邊界元法(BEM)的矩形冗余填充耦合電容提取方法。首先，提取矩形冗余填充模塊與互連線模塊的模型參數(shù)，其次，基于該參數(shù)數(shù)據(jù)，利用間接
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