嵌入式128Kb SRAM的研究與設(shè)計(jì).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著微電子技術(shù)水平的不斷提高,SRAM呈現(xiàn)出更高集成度、更快速及更低功耗的發(fā)展趨勢.近年來,集成SRAM的各種系統(tǒng)芯片已屢見不鮮,它們在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本與功耗等方面都起到了積極的作用.該文主要針對應(yīng)用于MCU的嵌入式128Kb靜態(tài)存儲器的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)的闡述.文章結(jié)合存儲單元靜態(tài)噪聲容限(SNM)及軟誤差率(SER)的分析,對靜態(tài)六管單元進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),在保證縮小芯片面積(存儲單元的尺寸為:10.8×14.8um<

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