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文檔簡介
1、論文是研制通用半導(dǎo)體存儲器SEU、SEL測試系統(tǒng)，測試對象選擇我國航天科研單位較為常用的三種半導(dǎo)體存儲器：SRAM、EEPROM、FLASH。系統(tǒng)采用虛擬技術(shù)和Lab VIEW圖形化編程語言來設(shè)計(jì)；通過分析翻轉(zhuǎn)前后數(shù)據(jù)的內(nèi)在關(guān)系，提出了一種基于單向數(shù)據(jù)流的判定算法；根據(jù)NI PXI-6541、PXI-6602的通道可重定義功能，實(shí)現(xiàn)了存儲器的地址通道、數(shù)據(jù)通道、控制通道可重定義和測試區(qū)域的任意指定，從而擴(kuò)展了系統(tǒng)的測試容量和測試類型。<
2、br> 系統(tǒng)的功能是檢測存儲器存儲單元位狀態(tài)變化和存儲器工作電流的變化，在線記錄測試結(jié)果，自動控制束流快門的開關(guān)，自動切換芯片的電源，自動選擇測試對象，對特殊芯片可自動生成采樣波形和產(chǎn)生波形，特殊功能引腳可進(jìn)行重定義；提供兩種測試模式：改寫模式和非改寫模式；提供兩種閂鎖處理方式：延時(shí)方式和降壓方式。
系統(tǒng)在北京HI-13串列加速器單離子效應(yīng)專用裝置上進(jìn)行了現(xiàn)場驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)時(shí)采用35cl10,14+粒子對TC58256F
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