KTN薄膜制備與PLD機理研究.pdf

1、本文將PLD技術與其它工藝結合起來，制備出高質量的KTN薄膜材料。重點研究了PLD機理。在實驗工作中，采用溶膠－凝膠法與氣氛燒結工藝相結合的工藝，制備出了高質量的KTN陶瓷靶材，并采用PLD技術成功地在單晶Si(100)襯底上沉積出了大面積、高取向、厚度較均勻、保組分性好的透明KTN薄膜，探索出制備該薄膜的優(yōu)化工藝參數(shù)。在機理的研究方面，參照國內(nèi)外PLD薄膜制備的實驗文獻和有關PLD局部過程理論研究工作，對PLD技術的各個階段的物理

2、現(xiàn)象，其中包括脈沖激光燒蝕塊靶產(chǎn)生的雙動態(tài)界面 、等離子體的發(fā)射和膨脹 、等離子體沉積成膜諸階段的演化，進行了比較深入細致地研究。在對燒蝕過程的研究中，本文建立了有限厚度靶材的激光燒蝕模型，給出了較為切合實際的邊界條件和初始條件。在此基礎上，首次給出了燒蝕面的推進方程，并且較為嚴格地推導出了燒蝕過程中固液界面的變化規(guī)律，同時進行了數(shù)值模擬計算。這部分工作為爾后研究高能激光與靶材物質相互作用奠定了一定的基礎。對PLD制備薄膜過程中產(chǎn)生