PLD法制備環(huán)形器用微米級YIG薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、環(huán)形器是一種在軍事和民用領域都被廣泛應用的微波器件。傳統(tǒng)的環(huán)形器都是在塊狀鐵氧體材料上制備的,導致其具有體積大、質量重等缺點。隨著現(xiàn)代化設備對器件的體積、質量等因素越來越敏感,發(fā)展出體積小、質量輕的環(huán)形器已經(jīng)刻不容緩。薄膜環(huán)形器就是在這種背景下應運而生的。雖然已經(jīng)有很多研究人員對薄膜環(huán)形器做了大量的研究,但是當前的薄膜環(huán)形器制備技術仍然很不成熟,其中一個制約其發(fā)展的因素就是難以制備出高質量的鐵氧體厚膜的。
　　本研究致力于用脈沖激

2、光沉積技術(PLD)制備出高質量的釔鐵石榴石(YIG)薄膜。首先,深入研究了沉積溫度、氧氣壓強等薄膜制備參數(shù)對用PLD法在Si(100)和GGG(111)基片上制備出的 YIG薄膜的微觀結構、磁性、共振線寬等性能的影響,得到了在Si基片和GGG基片上制備YIG薄膜的最佳條件。接著,根據(jù)研究在Si基片和GGG基片沉積YIG薄膜得到的最優(yōu)條件在MgO基片和藍寶石制備出了微米級的YIG薄膜,證明這兩種基片也可以用來沉積YIG薄膜。最后,在Si

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