已閱讀1頁(yè),還剩126頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、西安電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文深亞微米槽柵MOS器件的理論及實(shí)驗(yàn)研究姓名:張曉菊申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:博士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:郝躍20060401深亞微米槽柵MOs器件的理論及實(shí)驗(yàn)研究留凹槽內(nèi)的多晶硅作為柵電極。工藝分析得知,拋光后所得器件源、漏區(qū)的覆蓋面積明顯減小,覆蓋電容也較小。槽柵MOS器件主要性能(包括器件的閾值電壓、跨導(dǎo)、亞閾斜率、輸出特性以及可靠性相關(guān)的應(yīng)力退化特性等)的測(cè)試結(jié)果表明,槽柵工藝制備的MOS器件具有與平面
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 超深亞微米MOS器件RTS噪聲研究.pdf
- 深亞微米SOI器件薄柵氧化機(jī)理?yè)p傷研究.pdf
- 亞微米MOS器件的熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 深亞微米MOS器件熱載流子可靠性的物理建模.pdf
- 深亞微米理論及IP核設(shè)計(jì)技術(shù)的研究.pdf
- 超深亞微米MOS器件單粒子翻轉(zhuǎn)截面計(jì)算方法研究.pdf
- 深構(gòu)槽型功率MOS器件的研究.pdf
- 超深亞微米PMOSFET器件NBTI研究.pdf
- 深亞微米應(yīng)變硅器件的模擬研究.pdf
- 亞微米MOS器件的可制造性優(yōu)化與設(shè)計(jì).pdf
- 基于深槽調(diào)制CESL應(yīng)變的MOS器件設(shè)計(jì).pdf
- 深亞微米LDD MOSFET器件熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 超深亞微米器件的輻照特性研究與建模.pdf
- 深亞微米mos場(chǎng)效應(yīng)管器件模型bsim4.5的veriloga語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)
- 深亞微米CMOS器件中柵氧化層的經(jīng)時(shí)擊穿行為(TDDB)及其機(jī)理研究.pdf
- 深亞微米靜電防護(hù)器件原理與性能研究.pdf
- 起落柵氧MOS器件柵泄漏電流研究.pdf
- 深亞微米NMOSFET柵電流二維分布建模.pdf
- 高k柵介質(zhì)MOS器件的特性模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 深亞微米R(shí)F-CMOS器件物理與模型研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論