冗余金屬填充對(duì)電特性的影響研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路(VLSI)的不斷發(fā)展，互連線對(duì)時(shí)序的影響也越來(lái)越大。在SoC(片上系統(tǒng))設(shè)計(jì)中，對(duì)性能和功耗的要求也在不斷的增加。隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小，一些工藝過(guò)程也發(fā)生了相應(yīng)的改變，例如光刻，CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)等。在CMP過(guò)程中，金屬密度的不均勻?qū)е陆饘俸穸鹊钠鸱?，產(chǎn)生碟形，磨損。在進(jìn)行多金屬層芯片的制造過(guò)程中，密度不均勻?qū)е碌牟黄教够瘜?duì)第一、第二金屬層的影響并不顯著，但由于不平坦化效應(yīng)的疊加，在越來(lái)越高的金屬層

2、，就可能出現(xiàn)短路、斷路等不希望出現(xiàn)的結(jié)果，從而影響整個(gè)電路的運(yùn)行。因此需要進(jìn)行冗余金屬填充來(lái)調(diào)節(jié)金屬的密度，使其達(dá)到一致，以此來(lái)改善金屬表面的平坦性，但另一方面，冗余金屬的填充會(huì)增加互連電容，互連電阻，信號(hào)延遲以及功耗的增加等一系列問(wèn)題。
　　 研究冗余金屬填充的目的就是為了降低這些寄生參數(shù)，使其對(duì)電路的性能影響最小，在實(shí)現(xiàn)平坦化的同時(shí)使電路的性能不受較大影響，從而可以進(jìn)行多層金屬的制造，這樣可以大幅降低生產(chǎn)的成本，極大的提高芯