冗余金屬的光刻影響分析及優(yōu)化.pdf

1、隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷進(jìn)步，光刻問題已經(jīng)成為半導(dǎo)體行業(yè)按摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的最大瓶頸。針對光刻的可制造性設(shè)計(DFM)在深亞納米尺寸設(shè)計中已經(jīng)廣泛應(yīng)用。另一方面，甚大規(guī)模集成電路和片上系統(tǒng)規(guī)模的發(fā)展使得金屬密度問題變得更為復(fù)雜，傳統(tǒng)的解決方法是插入冗余金屬以改善化學(xué)機(jī)械研磨CMP后的芯片平坦度。而冗余金屬不僅會帶來芯片設(shè)計電學(xué)參數(shù)的惡化，而且也會影響原始版圖的光刻畸變程度。其中平坦度還會為光學(xué)參數(shù)里的失焦引入新的變化，這種變化會隨著面積

2、引起的平坦度的惡化以及節(jié)點(diǎn)縮小引起的更加復(fù)雜的光刻影響而愈發(fā)不可忽略。
　　本文通過對金屬互連層的光刻畸變與CMP后芯片平坦度的關(guān)系研究，從光刻畸變與失焦的關(guān)系入手，分析了冗余金屬對光刻畸變的影響。其中為了更好的實(shí)現(xiàn)對版圖光刻畸變的預(yù)測，提出了基于模型的考慮失焦程度的光刻仿真方法。在此方法基礎(chǔ)上，為了優(yōu)化這一影響，本文提出了一種考慮光刻影響的冗余金屬填充方法，以不影響原始版圖的光刻情況為前提，實(shí)現(xiàn)版圖平坦度的改善。
　　研究