AlNiGd金屬玻璃相變光刻濕法刻蝕工藝研究.pdf

1、光刻技術(shù)是整個半導(dǎo)體加工工藝的基礎(chǔ)技術(shù)，在半導(dǎo)體制造體系中占有重要地位。但是隨著科技的不斷發(fā)展，傳統(tǒng)有機光刻方法越來越臨近其物理極限，近年來各種新型光刻方法不斷被提出，其中相變光刻技術(shù)被認為是最有潛力的新型光刻技術(shù)之一。而新型相變光刻技術(shù)則是采用無機相變材料作為光刻膠，利用熱致相變的原理使用激光器使材料局部發(fā)生相變，利用材料非晶態(tài)和晶態(tài)在刻蝕液中刻蝕速率的不同來得到刻蝕圖形。但是現(xiàn)今人們對于相變光刻的研究主要集中在硫系化合物上。本文選用

2、新型相變光刻材料——AlNiGd金屬玻璃材料來取代傳統(tǒng)的硫系化合物相變材料。對基于AlNiGd金屬玻璃相變光刻的濕法工藝進行了深入的研究與探討。
　　本文首先使用磁控濺射法制備出單層和多層 AlNiGd金屬玻璃薄膜樣品(ZnS-SiOB2B/AlNiGd/ZnS-SiOB2B)，在此基礎(chǔ)上通過實驗篩選，最終分別選用混酸(質(zhì)量分數(shù)為2％硝酸、5%冰醋酸、80%磷酸、13%水)和HF溶液刻蝕液作為單層AlNiGd金屬玻璃薄膜樣品和多層

3、AlNiGd金屬玻璃薄膜結(jié)構(gòu)刻蝕液，對刻蝕實驗方法進行了摸索與優(yōu)化。然后利用真空退火工藝對 AlNiGd金屬玻璃薄膜樣品和單層ZnS-SiOB2B(80%:20%)薄膜進行退火，之后使用混酸(質(zhì)量分數(shù)為2%硝酸、5%冰醋酸、80%磷酸、13%水)和HF溶液分別對退火前后的AlNiGd金屬玻璃薄膜樣品和單層ZnS-SiOB2B(80%:20%)薄膜樣品進行刻蝕，測試出退火前后AlNiGd金屬玻璃薄膜樣品和單層ZnS-SiOB2B(80%: