VEGF-A對靜脈內(nèi)細胞分子標記物EphB4表達的調(diào)控及其抑制移植靜脈內(nèi)膜增生的機制.pdf

1、第一章內(nèi)源性VEGF-A在移植靜脈適應中對EphB4表達的調(diào)控
　　 目的:
　　 觀察自體靜脈移植后早期及晚期內(nèi)源性VEGF表達情況及其與靜脈分子標志物EphB4表達的關系，初步探討VEGF對EphB4的調(diào)控及其抑制移植靜脈內(nèi)膜增生的機制。
　　 方法:
　　 建立大鼠自體頸靜脈移植重建頸總動脈的模型，RT-PCT檢測術后6h，24h，72h，21d時VEGF mRNA及EphB4 mRNA的表達水平，

2、同時行形態(tài)學檢測，對比正常頸靜脈，術后21天移植靜脈血管壁各層厚度;以VEGF-A siRNA阻斷內(nèi)源性VEGF-A的產(chǎn)生，形態(tài)學檢測比較術后21天處理組與非處理組血管壁各層厚度，RT-PCR轉錄水平比較VEGF-A，EphB4表達。
　　 結果:
　　 術后6h，VEGF-A即開始表達，同時EphB4表達開始減少;VEGF-A表達24h達峰后開始減少并逐漸恢復至基線，同時EphB4持續(xù)減少;術后21天，移植靜脈內(nèi)、中膜

3、厚度明顯增加;siRNA阻斷內(nèi)源性VEGF-A的產(chǎn)生后，EphB4表達較未處理的移植靜脈明顯減少且內(nèi)、中膜厚度明顯高于未處理組。
　　 結論:
　　 VEGF-A抑制內(nèi)膜增生的機制可能與靜脈分子標志物EphB4的表達的減少有關，VEGF-A是否通過下調(diào)EphB4表達而實現(xiàn)抑制內(nèi)膜增生，需進一步體外細胞培養(yǎng)實驗驗證。
　　 第二章外源性VEGF-A對體外培養(yǎng)靜脈內(nèi)皮細胞EphB4的表達調(diào)控
　　 目的:

4、r>　　 自體靜脈移植入動脈血流環(huán)境中，其結構功能將發(fā)生適應性改變。其特點是促血管生成因子VEGF表達的增加及靜脈分子標志物EphB4表達的消失。為進一步探討VEGF是否是靜脈分子標記物EphB4消失的上游因素，我們進行了體外靜脈內(nèi)皮細胞培養(yǎng)，檢驗VEGF-A是否調(diào)控EphB4表達及其調(diào)控機制。方法及結果:
　　 以VEGF-A刺激小鼠肺毛細血管內(nèi)皮細胞觀察EphB4表達;分別用VEGF-R2阻斷劑，ERK1/2，Akt阻斷劑

5、預處理細胞，再以VEGF-A刺激細胞，RT-PCR方法檢測EphB4表達。結果顯示VEGF-A下調(diào)EphB4且上調(diào)ephrinB2，此效應呈時間依賴性及劑量依賴性。VEGF-A對EphB4的抑制，通過VEGF-R2及其下游信號傳導通路ERK1/2發(fā)揮效應。
　　 結論:
　　 VEGF-A下調(diào)成體靜脈內(nèi)皮細胞Eph-B4的表達，此調(diào)節(jié)作用通過VEGF-R2—ERK1/2途徑實現(xiàn)。體外實驗提示VEGF抑制移植靜脈內(nèi)膜增生可