分子印跡膜的制備方法及其SPR檢測(cè).pdf

1、表面等離子體波共振技術(shù)（SPR）技術(shù)是一種簡(jiǎn)單、直接的傳感技術(shù)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)分子間的相互作用，由于具有體積小、準(zhǔn)確度高、抗電磁干擾能力強(qiáng)和可用于遙測(cè)等優(yōu)點(diǎn)，SPR傳感器將有廣泛的應(yīng)用前景。分子印跡技術(shù)是近幾十年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種功能高分子研究方法，利用所合成的聚合物內(nèi)的空穴對(duì)模板分子的“記憶效應(yīng)”來(lái)實(shí)現(xiàn)聚合物對(duì)模板分子的選擇性識(shí)別。該項(xiàng)技術(shù)已在手性分離，人工抗體，傳感器和催化等應(yīng)用領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 本文選擇以分子印跡（Molecu

2、lar Imprinting Technology，MIT）技術(shù)與表面等離子體波共振（Surface Plasmon Resonance，SPR）檢測(cè)技術(shù)聯(lián)用，將MIT技術(shù)的選擇性高、識(shí)別性能好以及SPR技術(shù)檢測(cè)靈敏度高、響應(yīng)性能好等優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來(lái)，分別采取常規(guī)熱聚合，“現(xiàn)場(chǎng)”熱聚合及“現(xiàn)場(chǎng)”光聚合的方法制備出不同的分子印跡聚合物膜，并通過(guò)相應(yīng)的SPR檢測(cè)，研究一種全新的分子印跡膜的制備方法，為分子印跡膜的制備及SPR檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展提供更

3、多的選擇。 對(duì)于常規(guī)熱聚合成膜，我們首先通過(guò)理論研究及UV光譜檢測(cè)，選定模板、單體及交聯(lián)劑的適合比例為S3：MAA：EGDMA=1：6：8。研究發(fā)現(xiàn)，反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度、模板濃度以及單體比例都會(huì)影響MIP的厚度及致密性。通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究，以乙腈為溶劑，采用恒溫加熱法于65℃，反應(yīng)時(shí)間5h在金芯片表面制備出的S3分子印跡聚合物膜，反應(yīng)完全、均勻、穩(wěn)定。 對(duì)于“現(xiàn)場(chǎng)”成膜這一方法，目前國(guó)內(nèi)外還是一片空白。本文分別以熱引發(fā)和光引發(fā)