

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著MEMS技術(shù)的大力發(fā)展,壓力傳感器也在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。通常差分放大器被用來檢測處理傳感器的弱電勢,傳統(tǒng)的都是用兩運放或者三運放的儀表放大器(IA)來實現(xiàn)此功能。為了實現(xiàn)更好的性能,傳感器部分和信號處理電路都制作在同一塊硅片上。
本論文提出了_種基于兩運放儀表放大器結(jié)構(gòu),具備高靈敏度和高線性的信號處理電路。采用惠斯登電橋來檢測外界的壓力,可以減小溫度的影響。同時,在提出的電路中,使用一個受溫度控制的電流產(chǎn)生源,能提
2、供具有正溫度系數(shù)的輸出電流,可以用來補償傳感器電橋因高溫時靈敏度的下降。信號處理電路使用兩個高性能的運輸放大器來處理電橋的輸出信號。薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成了電壓偏置,通過激光修調(diào)可以補償電橋的零溫度漂移。電路的仿真基于標(biāo)準(zhǔn)的雙極型工藝庫模型。輸出信號和所加的電壓成正比關(guān)系,并且具有良好的線性度。在5V的單電源供電下,輸出范圍為50mV-4.95V。此高靈敏度和線性度的電路適合用來測量小的電阻變化,因此是單片集成傳感器的很好選擇。
3、 針對此電路設(shè)計了兩種版圖,一種是將傳感器和電路分開設(shè)計,一種是兩者結(jié)合實現(xiàn)單片集成的設(shè)計。傳感器和電路在制造后,都進行了測試,電路實際輸出達到100mV-4.9V,并且具有良好的線性度。但由于版圖設(shè)計和制造的一些因素,電路的閉環(huán)增益出現(xiàn)了偏差,比仿真值減小了不少,因此下一步必須對其進行調(diào)整以滿足傳感器的需要。
本次流片電路的缺點就是共模抑制比(CMRR)和電阻匹配息息相關(guān)。因此基于設(shè)計的運算放大器,提出了一種電流模式的儀
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 一種MEMS數(shù)字壓力傳感器的設(shè)計.pdf
- 一種微型FBG壓力傳感器的設(shè)計研究.pdf
- 一種微型FBG壓力傳感器設(shè)計研究.pdf
- 一種活塞式壓力傳感器的研究.pdf
- 一種大量程壓阻式壓力傳感器的設(shè)計.pdf
- 多晶硅壓力傳感器模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計.pdf
- 一種新型真空壓力傳感器的設(shè)計與試驗研究.pdf
- 單片集成MEMS電容式壓力傳感器研究.pdf
- 多晶硅高溫壓力傳感器設(shè)計.pdf
- 壓力傳感器是工業(yè)實踐中最為常用的一種傳感器
- 一種雙量程壓力傳感器的動態(tài)特性研究.pdf
- 硅橋式壓阻壓力傳感器溫度補償電路的設(shè)計.pdf
- 壓力傳感器及其應(yīng)用電路
- 一種基于Post-CMOS的MEMS集成電容式壓力傳感器研究.pdf
- 單片集成CMOS-MEMS壓阻式壓力傳感器.pdf
- 硅壓阻式高溫壓力傳感器.pdf
- 納米硅超微壓力傳感器設(shè)計研究.pdf
- 基于0.18umcmos集成壓力傳感器設(shè)計
- 一種深海環(huán)境下壓力平衡方法和壓力傳感器的研究.pdf
- 單片集成CMOS電容式壓力傳感器的設(shè)計、制備與測試.pdf
評論
0/150
提交評論