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1、眾所周知,微波功率放大器是工作在大信號(hào)狀態(tài)下,呈現(xiàn)非線性特性,為了進(jìn)行微波功率放大器的最優(yōu)設(shè)計(jì),必須建立精確的大信號(hào)非線性電路和元件模型。本文主要的研究?jī)?nèi)容是對(duì)從小信號(hào)建模為基礎(chǔ)進(jìn)行大功率晶體管非線性建模。目的是最終建立GaAsFET大信號(hào)非線性電路模型。 本文主要對(duì)GaAsFET建模方法進(jìn)行了學(xué)習(xí)和研究,提出了一種電路提取S參數(shù)的測(cè)試方法。在已經(jīng)建立了小信號(hào)模型的基礎(chǔ)上,通過(guò)測(cè)量GaAsFET的I-V特性,精確完成GaAsFE
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