50Hz工頻磁場暴露對FL細(xì)胞線粒體相關(guān)凋亡通路的影響.pdf

1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?研究50Hz、0.4mT工頻磁場對人羊膜細(xì)胞（FL細(xì)胞）線粒體膜、線粒體膜間隙蛋白以及細(xì)胞凋亡的影響。
　　實(shí)驗(yàn)方法: FL細(xì)胞接種于12孔板培養(yǎng)24小時(shí)后，分別暴露于50Hz、0.4mT工頻磁場不同時(shí)間(5min，15min，30min，60min，120min)。用鈣黃綠素-鈷離子作為熒光探針標(biāo)記細(xì)胞，采用流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測并分析線粒體膜通透性MPTP(mitochondrial permeability trans

2、ition pore)的改變;隨后用活性氧ROS(reactiveoxygen species)清除劑N-乙酰半胱氨酸(N-acetylcysteine，NAC)預(yù)處理細(xì)胞，檢測分析ROS與MPTP之間的關(guān)系。利用JC-1熒光探針標(biāo)記細(xì)胞，流式細(xì)胞儀檢測分析不同時(shí)間磁場暴露后FL細(xì)胞線粒體膜電位MMP(mitochondrialmembrane potential)的改變;采用western blot技術(shù)分析工頻磁場暴露60min后，胞

3、漿中細(xì)胞色素C的水平;同時(shí)利用流式細(xì)胞術(shù)分析工頻磁場暴露60min并分別經(jīng)0h，3h，6h，12h，24h，36h培養(yǎng)后細(xì)胞凋亡的發(fā)生率。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果:研究結(jié)果表明，F(xiàn)L細(xì)胞暴露于工頻磁場30min和60min后線粒體膜通透性增高，尤其是60min組差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義（P＜0.05）。NAC預(yù)處理細(xì)胞能夠抑制工頻磁場誘導(dǎo)的線粒體通透性增高（P＜0.05）。然而，工頻磁場暴露不影響FL細(xì)胞線粒體膜電位的改變。工頻磁場暴露60min

4、后，胞漿中細(xì)胞色素C含量增高，與假輻照組相比，其差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義（P＜0.05）;可是，F(xiàn)L細(xì)胞暴露于工頻磁場60min并經(jīng)過不同時(shí)間(0h，3h，6h，12h，24h，36h)培養(yǎng)后，細(xì)胞凋亡發(fā)生率沒有明顯改變（P＞0.05）。
　　結(jié)論:
　　1.50Hz，0.4mT工頻磁場暴露可誘導(dǎo)FL細(xì)胞線粒體通透性增升高，而且線粒體通透性改變與ROS相關(guān)。
　　2.工頻磁場暴露對FL細(xì)胞線粒體膜電位無明顯影響。