電力電子考試重點整理版

1、21與信息電子電路中的二極管相比，電力二極管具有怎樣壓為0；π＋α2π期間，單相全波電路中VT2導通，單的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力？相全控橋電路中VT2、VT3導通，輸出電壓等于u2。對于電感負答：1.電力二極管大都采用垂直導電結(jié)構(gòu)，使得硅片中通過（απ＋α）期間，單相全波電路中VT1導通，單相全載：電流的有效面積增大，顯著提高了二極管的通流能力?？貥螂娐分蠽T1、4導通，VT輸出電壓均與電源電壓u2相等；（π2.電力

2、二極管在P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū)，也稱＋α2π＋α）期間，單相全波電路中VT2導通，單相全控漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半橋電路中VT2、VT3導通，輸出波形等于u2?？梢姡瑑烧叩膶w材料即本征半導體，由于摻雜濃度低，低摻雜N區(qū)就可輸出電壓相同，加到同樣的負載上時，則輸出電流也相同。以承受很高的電壓而不被擊穿。23帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路與三相橋式全控26GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)為什么G

3、TO能夠自整流電路相比有何主要異同？①三相橋式電路是兩組三相半關(guān)斷而普通晶閘管不能結(jié)構(gòu)為什么能夠自關(guān)斷而普通波電路串聯(lián)，而雙反星形電路是兩組三相半波電路并聯(lián)，且晶閘管不能而普通晶閘管不能后者需要用平衡電抗器；答:GTO和普通流電路，給欲關(guān)斷的晶閘管強迫施加積很小門極和陰極間的距離大為縮短使得P2極區(qū)所謂反向電壓換流稱為強迫換流。通常是利用附加電容上的能量的橫向電阻很小從而使從門極抽出較大的電流成為可能。實現(xiàn)，也稱電容換流。晶閘管電路不能

4、采用器件換流，根據(jù)27與信息電子電路中的MOSFET相比電力MOSFET具有怎樣電路形式的不同采用電網(wǎng)換流、負載換流和強迫換流3種方的結(jié)構(gòu)特點才具有耐受高電壓和大電流的能力？式。1）垂直導電結(jié)構(gòu)：發(fā)射極和集電極位于基區(qū)兩側(cè)，基區(qū)面3什么是電壓型逆變電路？什么是電流型逆變電路？二者各積大，很薄，電流容量很大。有什么特點。答：按照逆變電路直流測電源性質(zhì)分類，直流2）N漂移區(qū)：集電區(qū)加入輕摻雜N漂移區(qū)，提高耐壓。側(cè)是電壓源的稱為逆變電路稱為電

5、壓型逆變電路，直流側(cè)是3）集電極安裝于硅片底部，設計方便，封裝密度高，耐壓電流源的逆變電路稱為電流型逆變電路電壓型逆變電路的主特性好。要特點是：①直流側(cè)為電壓源，或并聯(lián)有大電容，相當于電28試分析IGBT和電力MOSFET在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性上的壓源。直流側(cè)電壓基本無脈動，直流回路呈現(xiàn)低阻抗。②由相似和不同之處于直流電壓源的鉗位作用，交流側(cè)輸出電壓波形為矩形波，答：IGBT比電力MOSFET在背面多一個P型層，IGBT開關(guān)速并且與負載阻