28納米集成電路工藝金屬層OPC模型的開發(fā).pdf

1、集成電路制造工藝的關鍵尺寸隨著“摩爾定律”一步步的縮小到了28納米。這一制程節(jié)點是應用雙重曝光之前的最后一個世代，所以對光刻與 OPC(Optical Proximity Correction,光學鄰近效應修正)精確度的要求也更為嚴格，OPC模型的誤差必須被控制在極小的范圍內。此外，由于工藝窗口變小，OPC模型需要具備預測全工藝窗口內圖形缺陷的能力。本課題選取28納米版圖最復雜的金屬層，研究了28納米OPC模型的特點，分析了影響模型精確

2、度的原因，設計了多組實驗來優(yōu)化模型參數，提高模型精度。
　　本課題首先研究了28納米OPC模型中的掩模版模型。探討了掩模版模型主要的參數及其影響，通過實驗總結了快速、準確的優(yōu)化這些參數的方法，優(yōu)化的掩模版模型大大的提高了OPC模型的精確度。其次，研究了PWOPC(Process Window OPC)模型。通過定義模型數據點對光刻能量/焦距波動的敏感度，篩選出對建立PWOPC貢獻大的少量數據點，用于數據收集和建模。在保證模型精度的