2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路生產(chǎn)進(jìn)入亞微米時代后,隨著集成電路器件尺寸越做越小,曝光機(jī)臺的分辨率需要跟著提高。分辨率增強(qiáng)技術(shù)如離軸照明技術(shù)、相移掩模技術(shù)、亞輔助圖形添加技術(shù)和光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)由于能在不更新光刻機(jī)的基礎(chǔ)上解決亞波長光刻面臨的各種問題,在90nm以下的半導(dǎo)體制造中被廣泛應(yīng)用。
  離軸照明技術(shù)的應(yīng)用中,增加數(shù)值孔徑 NA的方式提高圖像分辨率的同時會導(dǎo)致光刻共同焦深減小,使得某些圖形對光刻工藝的波動極為敏感而導(dǎo)致圖形尺寸超出光刻允許量要

2、求甚至成像失敗。作為微影成形中的一環(huán),OPC工藝不僅需要使全芯片圖形修正到目標(biāo)圖形,而且在先進(jìn)集成電路制造中逐漸被賦予了一項新的要求,即通過優(yōu)化OPC版圖設(shè)計窗口來改善光刻工藝窗口。
  本文的研究工作側(cè)重在兩個方面:優(yōu)化亞輔助圖形添加規(guī)則以提高光刻工藝共同焦深;OPC后的檢查能有效地捕捉出光刻工藝窗口弱點(diǎn)。主要進(jìn)行了以下方面的研究工作:
  一、比較兩種亞輔助圖形優(yōu)化方式的優(yōu)缺點(diǎn)后,結(jié)合了基于模型的像素級亞輔助圖形產(chǎn)生方式

3、能夠計算出理想的亞輔助圖形和基于規(guī)則的亞輔助圖形添加技術(shù)運(yùn)行時間快的特點(diǎn),提出了模型驅(qū)動的規(guī)則亞輔助圖形生成方式。
  二、考慮實際光刻工藝窗口弱點(diǎn)、掩模保真性、要求亞輔助圖形不被光刻成像等各項因素,提出了一套模型驅(qū)動的規(guī)則亞輔助圖形生成方式的SRAF優(yōu)化流程。即通過反向光刻技術(shù)獲得基于模型的像素級亞輔助圖形的形貌,提取出SRAF的各項規(guī)則信息,利用嚴(yán)格模擬軟件仿真比較不同方式簡化后的規(guī)則亞輔助圖形對主圖形光刻工藝窗口的影響,得到

4、對工藝窗口有幫助的幾個規(guī)則分批。通過掩模板保真性與硅片上實際光刻工藝窗口的綜合比較,得到優(yōu)化并可用于實際全芯片設(shè)計圖形的亞輔助圖形的規(guī)則。經(jīng)過驗證,該流程有效地選擇出合適的亞輔助圖形規(guī)則,使弱點(diǎn)的工藝窗口提高至滿足光刻機(jī)要求。
  三、在OPC后檢查步驟,比較最佳條件檢查和工藝波動條件檢查兩種方式后,為使檢查結(jié)果更準(zhǔn)確,提出了校正焦距條件的工藝波動檢查方式。該方式檢查出的光刻工藝弱點(diǎn)經(jīng)測試掩模板實際光刻工藝后,證實捕捉出的工藝窗口

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