VN分子躍遷結構的精確研究.pdf

1、本文通過采用孫衛(wèi)國等創(chuàng)立的可以精確計算雙原子分子體系的R與P線系發(fā)射光譜的原子分子物理學公式，結合文獻上通過實驗獲得的多組低轉動態(tài)光譜數(shù)據(jù)，計算了多用途材料VN分子電子態(tài)以及躍遷體系中（0,0）躍遷帶的R支與P支發(fā)射光譜，獲得了實驗上難以獲得的包括轉動量子數(shù)J=80在內(nèi)的高轉動態(tài)和許多文獻上未給出的低轉動態(tài)光譜數(shù)據(jù)。所獲得的理論計算結果不僅與已知實驗值吻合，而且所預言的實驗未能給出的躍遷光譜符合已知實驗值的發(fā)展趨勢，預測計算出了VN分子

2、的光譜數(shù)據(jù)，為深入研究其微觀結構提供了有利條件。
　　全文總共包含四個章節(jié)，第一章介紹了VN的物化性質與實際應用、原子分子物理學有關光譜的一些基本概念規(guī)則、光譜學實驗手段的發(fā)展現(xiàn)狀以及本文的研究意義；第二章簡述了R支與P支躍遷譜線公式的數(shù)學推導建立過程；第三章則利用第二章建立的公式研究了VN分子和躍遷體系中(0,0)躍遷帶的R支與P支發(fā)射譜，獲得了8組精確發(fā)射光譜數(shù)據(jù)，包含了從低振轉態(tài)到轉動量子數(shù)J=80在內(nèi)的高振轉激發(fā)態(tài)的全部數(shù)