半導(dǎo)體超晶格的X射線雙晶衍射研究.pdf

1、X射線雙晶衍射模擬技術(shù)及運(yùn)動(dòng)學(xué)理論模擬雙晶衍射搖擺曲線是研究研究半導(dǎo)體多層膜和超晶格的結(jié)構(gòu)及完美性的有效手段。本文從X射線運(yùn)動(dòng)學(xué)的普遍理論——布拉格方程出發(fā)，推導(dǎo)出適用于多層膜及超晶格結(jié)構(gòu)的X射線衍射搖擺曲線理論模擬的迭代解。對(duì)幾種不同的多層膜、超晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)和結(jié)構(gòu)完美性進(jìn)行了詳細(xì)的研究分析。 1．計(jì)算了AlGaAs/GaAs材料的超晶格以及量子阱結(jié)構(gòu)參數(shù)，并研究了低級(jí)衛(wèi)星峰的規(guī)律性消光規(guī)律。采用具有整數(shù)分子層的過渡層理論

2、模型，研究了超晶格中零級(jí)峰的峰位漂移，過渡層對(duì)超晶格衛(wèi)星峰強(qiáng)度的影響。 2．對(duì)InGaAs/GaAs外延多層膜結(jié)構(gòu)的弛豫機(jī)制以及結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行研究。對(duì)15周期的In<,0.1>Ga<,0.9>As/GaAs超晶格的實(shí)驗(yàn)分析表明，應(yīng)變弛豫機(jī)制起主要作用。模擬計(jì)算出該樣品的周期為200A，In的組分為0.08，GaAs層與InGaAs層的厚度分別為110A和90A。 3．設(shè)計(jì)生長(zhǎng)了不同結(jié)構(gòu)的GaSb/GaAs樣品，優(yōu)化了生長(zhǎng)條