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1、本文建立了一種水相中合成CdSe量子點(diǎn)的新方法,在此基礎(chǔ)上,對(duì)所合成量子點(diǎn)的化學(xué)發(fā)光及電致化學(xué)發(fā)光性質(zhì)作了初步的探索。主要研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下: 1.采用巰基乙酸(MAA)作為表面修飾劑,CdCl2和NaHSe為反應(yīng)前體,在水溶液中合成了粒徑約1.5 nm的CdSe量子點(diǎn)。通過(guò)紫外.可見(jiàn)吸收光譜、熒光光譜、化學(xué)發(fā)光三種手段對(duì)所合成的量子點(diǎn)進(jìn)行了表征,并研究了反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度、MAA加入量以及Cd:Se摩爾比等條件對(duì)CdSe量子點(diǎn)
2、的化學(xué)發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)Cd:Se摩爾比為2:1,MAA加入量為120gL,反應(yīng)溫度為30℃,反應(yīng)時(shí)間為1 h時(shí),可以得到化學(xué)發(fā)光性能較好的CdSe量子點(diǎn)。 2.建立了CdSe量子點(diǎn)-H<,2>O<,2>化學(xué)發(fā)光新體系。通過(guò)研究不同氧化劑、堿性介質(zhì)濃度、氧化劑濃度、量子點(diǎn)濃度及幾種表面活性劑對(duì)CdSe量子點(diǎn)化學(xué)發(fā)光的影響,對(duì)CdSe量子點(diǎn)化學(xué)發(fā)光的條件進(jìn)行了優(yōu)化。結(jié)果表明:在堿性介質(zhì)中,CdSe量子點(diǎn)可以被H<,2>O
3、<,2>直接氧化產(chǎn)生化學(xué)發(fā)光,陽(yáng)離子表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)對(duì)CdSe量子點(diǎn)-H<,2>O<,2>體系的化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度有一定程度的增敏作用。探討了CdSe量子點(diǎn)化學(xué)發(fā)光的反應(yīng)機(jī)理,為水溶性CdSe量子點(diǎn)化學(xué)發(fā)光的進(jìn)一步應(yīng)用提供了參考。 3.建立了水溶性CdSe量子點(diǎn)電致化學(xué)發(fā)光新體系。直接在水溶液中采用三電極系統(tǒng)對(duì)CdSe量子點(diǎn)溶液進(jìn)行掃描,觀察到化學(xué)發(fā)光現(xiàn)象,并對(duì)水溶液中CdSe量子點(diǎn)電致化學(xué)發(fā)光的條件(如掃描
4、速率、溶解氧、CdSe量子點(diǎn)的濃度等)進(jìn)行了優(yōu)化?;卩彵饺右种艭dSe量子點(diǎn)電致化學(xué)發(fā)光的現(xiàn)象,建立了鄰苯三酚檢測(cè)新方法,該方法對(duì)鄰苯三酚檢測(cè)的線性范圍為4.0×10<'-7>~2.0×10<'-5>mol/L,檢測(cè)限為6.6×10<'-8>mol/L(S/N=3)。同時(shí),對(duì)CdSe量子點(diǎn)電致化學(xué)發(fā)光的反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了探討。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,CdSe量子點(diǎn)電致化學(xué)發(fā)光光譜的峰位置與熒光光譜的缺陷峰位置幾乎相同,這說(shuō)明量子點(diǎn)的表面缺陷在光發(fā)
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