鋁酸鋰晶體拋光處理及其退火行為研究.pdf

1、本文利用德國柏林晶體實驗室提拉法(Czochralski)生長、切割而成的鋁酸鋰(LiAlO2，LAO)晶片，系統(tǒng)研究了拋光液磨料性質(zhì)、拋盤轉(zhuǎn)速、拋光時間、拋光壓力以及拋光環(huán)境等系列拋光工藝參數(shù)對拋光晶片表面質(zhì)量的影響規(guī)律，經(jīng)過拋光處理后的LiAlO2基片利用光學(xué)顯微鏡(OM)、掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)等儀器測量其表面質(zhì)量及其相應(yīng)的粗糙度。結(jié)果表明采用Al2O3和自制的SiO2懸濁液作為拋光液是獲得高質(zhì)量晶體基片的前提

2、。表面粗糙度隨拋盤轉(zhuǎn)速、拋光壓力呈現(xiàn)先減小后增大，而隨拋光時間呈現(xiàn)逐漸減小的趨勢；材料去除率隨拋盤轉(zhuǎn)速、拋光壓力呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢。通過一系列工藝參數(shù)的優(yōu)化與調(diào)整獲得了高質(zhì)量鋁酸鋰晶體基片最佳的拋光工藝，相應(yīng)的表面粗糙度為2.695nm，完全滿足GaN生長的需要。通過對拋光過程的深入分析，探討了自制SiO2懸濁液拋光過程中與晶體基片的反應(yīng)機(jī)理。
　　 采用爐內(nèi)退火試驗?zāi)M實際GaN生長過程中的實際環(huán)境，系統(tǒng)分析退火溫度、保溫