簡(jiǎn)介：隨著銅冶煉迅猛發(fā)展銅精礦資源日趨緊張其雜質(zhì)含量顯著提高從而導(dǎo)致電解液中雜質(zhì)尤其是砷銻鉍的積累日趨嚴(yán)峻。本次研究的目的在于尋找效果顯著、成本低廉、操作簡(jiǎn)便的電解液凈化新方法。通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了電解液蒸發(fā)脫銅過(guò)程得到適宜工藝條件蒸發(fā)量為380ML硫酸濃度為203GL1冷卻溫度為20℃。在此實(shí)驗(yàn)條件下硫酸銅結(jié)晶率為5879％硫酸銅結(jié)晶后液中砷銻的濃度分別為1538GL1和064GL1。在銅電解液中加入次磷酸鈉采用化學(xué)還原共沉淀法凈化電解液。當(dāng)銅濃度32GL1、硫酸濃度530GL1反應(yīng)溫度60℃、反應(yīng)時(shí)間4H時(shí)加入當(dāng)還原劑用量12G300ML電解液和濃HCL用量9ML300ML電解液凈化效果最佳。在此條件下銅的脫除率可達(dá)到407％砷的脫除率可達(dá)到26％銻的脫出率可達(dá)504％。得到的濾渣中含有CU2CL2和CUSO45H2O。但是次磷酸鈉對(duì)于鉍的除去沒(méi)有明顯的效果。在銅電解液中加入水合肼產(chǎn)生沉淀使銅電解液中砷、銻、鉍雜質(zhì)得到有效去除。當(dāng)電解液CU2濃度為22GL1硫酸濃度為203GL1反應(yīng)溫度為42℃反應(yīng)時(shí)間為60MIN砷、銻、鉍濃度分別為880GL1、036GL1、020GL1時(shí)按照銅電解液與水合肼體積比為201在銅電解液加入水合肼銅脫除率為9704％砷、銻、鉍去除率分別為528％、3792％、9440％。在鹵化物作用下有助電解液中砷的去除。雜質(zhì)的脫除有一定影響。在銅電解液中加入水合肼產(chǎn)生沉淀有CU4SO4OH6H2O、CU2OH3NO3、CU3ASO4OH3等?？傮w而言采用以上加入還原劑水合肼的化學(xué)還原共沉淀法可以將銅電解液中的砷銻鉍等雜質(zhì)有效地凈化除去達(dá)到了現(xiàn)有生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的凈化要求。

簡(jiǎn)介：低硬低堿是珠江下游地區(qū)水源水質(zhì)的一個(gè)典型特征，致使凈水廠(chǎng)出水的水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性較差，對(duì)配水管網(wǎng)造成腐蝕。目前采用的水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性改善方法并不能有效的控制管網(wǎng)的腐蝕。本論文通過(guò)二氧化碳聯(lián)用石灰石接觸柱的中試研究，研究二氧化碳聯(lián)用石灰石接觸池工藝對(duì)出水水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性的改善效果，從而探討此新工藝控制管網(wǎng)腐蝕的可行性。二氧化碳聯(lián)用石灰石接觸池工藝的工作本質(zhì)是水流經(jīng)過(guò)二氧化碳曝氣后再流經(jīng)石灰石接觸池時(shí)，水中CO2與石灰石接觸池填料中的CACO3發(fā)生反應(yīng)，碳酸鈣溶解，結(jié)果使水中的堿度、硬度、PH值都得以提高，從而提高了出廠(chǎng)水的水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性，緩解出廠(chǎng)水對(duì)管網(wǎng)的腐蝕性。本文從石灰石接觸池的設(shè)計(jì)參數(shù)出發(fā)，分別研究石灰石接觸池中填料高度、填料粒徑、接觸時(shí)間對(duì)出水水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性的影響，以及接觸池的反沖洗特性。同時(shí)，通過(guò)投加二氧化碳改變進(jìn)水二氧化碳含量，研究水中不同二氧化碳含量和不同接觸時(shí)間對(duì)石灰石接觸柱的出水水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性的影響。其中，出水是否進(jìn)行二氧化碳脫氣直接影響著對(duì)出水的水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性。如果不對(duì)出水進(jìn)行二氧化碳的脫除，則出水會(huì)殘余較多的二氧化碳，使水中的PH值下降，直接影響了水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性指標(biāo)，所以聯(lián)用工藝處理后的出水水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性可能比聯(lián)用工藝前的更差；如果對(duì)出水進(jìn)行二氧化碳的脫除，則出水水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性能得到有效的改善。試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)二氧化碳與石灰石接觸池聯(lián)用工藝對(duì)出水的金屬含量和濁度都沒(méi)有明顯的影響，可能原因是水中的金屬含量本來(lái)就已經(jīng)很低，而聯(lián)用工藝的進(jìn)水取的是砂濾后的出水，絕大部分的懸浮雜質(zhì)已經(jīng)在砂濾過(guò)程中被去除，濁度本來(lái)就已經(jīng)很低，因此石灰石填料的截留凈水作用并沒(méi)有得到充分發(fā)揮。二氧化碳與石灰石接觸池聯(lián)用工藝具有操作方便，運(yùn)行安全等特點(diǎn)，在國(guó)外得到了廣泛的應(yīng)用。本文從技術(shù)、經(jīng)濟(jì)角度出發(fā)，研究二氧化碳與石灰石接觸池聯(lián)用工藝的可行性，并與二氧化碳，石灰聯(lián)用工藝、傳統(tǒng)加堿NAOH工藝做對(duì)比，闡述三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)，對(duì)實(shí)際工程中水質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性改善工藝的選用具有一定的參考價(jià)值。

簡(jiǎn)介：隨著21世紀(jì)科學(xué)技術(shù)的突飛猛進(jìn)微電子技術(shù)是當(dāng)代科技發(fā)展最快的技術(shù)之一而集成電圖INTEGRATECIRCUITS簡(jiǎn)稱(chēng)IC又是微電子技術(shù)的核心。隨著IC技術(shù)朝著特征尺度逐漸微細(xì)化、硅單晶片大直徑化、集成度高密集化等趨勢(shì)的發(fā)展對(duì)拋光工藝技術(shù)提出了更加嚴(yán)格的要求。當(dāng)IC工藝尺度進(jìn)入025微米之后能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)己成為IC設(shè)備制造業(yè)關(guān)鍵工藝技術(shù)之一。目前分形理論已經(jīng)被引入到粗糙表面接觸、摩擦、磨損和磨屑分析等方面的研究中這為解決難以處理或表達(dá)不準(zhǔn)確的復(fù)雜摩擦學(xué)問(wèn)題提供了新的研究途徑同時(shí)對(duì)摩擦學(xué)理論的深入研究起到了一定的推動(dòng)作用。本文工作之一考慮了晶片和拋光墊的表面粗糙程度利用分形技術(shù)構(gòu)造了新膜厚并將其應(yīng)用于CMP過(guò)程中分析了新膜厚對(duì)CMP過(guò)程拋光液的壓力分布以及無(wú)量綱荷載和轉(zhuǎn)矩的影響壓力的影響。由于拋光工藝的特殊性很難通過(guò)實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確地測(cè)量拋光過(guò)程中晶片表面的壓力分布。對(duì)于單面拋光測(cè)量晶片的壓力分布的實(shí)驗(yàn)也只是局限于晶片上的有限個(gè)點(diǎn)對(duì)于雙面拋光幾乎就沒(méi)有測(cè)量晶片的表面壓力分布的實(shí)驗(yàn)。本文工作之二利用數(shù)值模擬的方法研究雙面拋光中晶片表面的壓力分布建立了雙面拋光工藝中晶片上下表面的壓力分布模型獲得了晶片和拋光墊表面的速度分布關(guān)系分析了自由晶片在拋光過(guò)程中的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)數(shù)值分析了自由晶片在壓力荷載及轉(zhuǎn)矩平衡時(shí)晶片上下表面的平均壓力分布根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道的工藝條件通過(guò)調(diào)整拋光參數(shù)組合獲得了最小的平均壓差率利用正交實(shí)驗(yàn)法數(shù)值分析發(fā)現(xiàn)拋光工藝參數(shù)對(duì)壓力分布影響的主次關(guān)系。

簡(jiǎn)介：膠粘物在廢紙回用過(guò)程中產(chǎn)生的障礙問(wèn)題日顯突出，現(xiàn)已成為本世紀(jì)全球造紙工業(yè)極其重要、急需解決的難題之一。本文通過(guò)單因素實(shí)驗(yàn)，篩選出了廢舊銅版紙的最佳膠粘物脫除劑，并通過(guò)正交試驗(yàn)，確定了最佳膠粘物脫除工藝條件以及影響因素中的顯著因素。分別選取丁苯膠乳SBR、聚乙烯醇PVA、氧化淀粉0S三種模擬膠粘物涂布于白卡紙，在最佳工藝條件下進(jìn)行膠粘物脫除處理，通過(guò)掃描電鏡、激光粒徑分析、紅外光譜等現(xiàn)代分析手段研究了膠粘物脫除處理前后紙漿和DCS中膠粘物的分布形態(tài)，粒徑、特性以及結(jié)構(gòu)特征變化等，初步探討膠粘物脫除劑的作用機(jī)理。研究結(jié)果表明經(jīng)過(guò)單因素實(shí)驗(yàn)和正交實(shí)驗(yàn)，確定了膠粘物脫除劑VFH、K97和UD1三者之中，廢舊銅版紙脫墨漿的最佳膠粘物脫除劑為VFH，其最佳脫除工藝條件為VFH用量007％，漿濃3％，溫度60℃，PH值6O。其中VFH用量是影響膠粘物脫除率和紙張物理性能最主要的因素，其次是PH值。由激光粒徑分析測(cè)定可知膠粘物脫除劑VFH對(duì)丁苯膠乳SBR和氧化淀粉OS兩種模擬膠粘物顆粒都有很好的分散乳化作用，而對(duì)聚乙烯醇PVA作用不明顯。故VFH適用于主要含SBR和OS類(lèi)型膠粘物的二次纖維回收利用過(guò)程中的膠粘物控制。由紅外光譜、粒徑分析、SEM以及對(duì)DCS的電導(dǎo)率、濁度、TDCS和CODCR等特性分析可知，VFH的膠粘物脫除作用是一個(gè)化學(xué)作用的過(guò)程，通過(guò)分子鏈的斷裂以及形成氫鍵，將大膠粘物分散乳化成較小的顆粒，牢固吸附在纖維表面并被抄進(jìn)紙頁(yè)中，從而脫離紙漿系統(tǒng)和白水系統(tǒng)，減少白水回用過(guò)程中的膠粘物障礙問(wèn)題。

簡(jiǎn)介：化學(xué)鍍鎳是一項(xiàng)已獲得廣泛應(yīng)用的無(wú)電沉積方法，同電沉積相比，它有操作簡(jiǎn)便、設(shè)備條件要求低、鍍層均勻等優(yōu)點(diǎn)，其發(fā)展勢(shì)頭迅猛，前程未可限量。因此，對(duì)化學(xué)鍍鎳的研究和開(kāi)發(fā)具有重要意義。在銅、黃銅材料表面上實(shí)施化學(xué)沉積，必須先對(duì)基體進(jìn)行誘發(fā)。本文通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)，對(duì)幾種誘發(fā)材料與過(guò)程進(jìn)行分析，研究確定了簡(jiǎn)便有效的誘發(fā)方法，以及與之相匹配的化學(xué)鍍NIP合金溶液優(yōu)化配方和工藝條件，討論了各工藝參數(shù)對(duì)鍍速的影響，并對(duì)銅及黃銅基體上得到的NIP沉積層進(jìn)行了性能和結(jié)構(gòu)分析，得到外觀(guān)光亮完整、結(jié)合力強(qiáng)、硬度高的鍍層。XRAY衍射分析研究表明，所得鍍層為非晶態(tài)NIP合金，在350～400℃左右熱處理可轉(zhuǎn)化為晶態(tài)，這滿(mǎn)足我們對(duì)產(chǎn)品的性能質(zhì)量要求，可以取代原工藝中的進(jìn)口的化學(xué)鍍鎳溶液。為進(jìn)一步研究反應(yīng)機(jī)理，本文采用適當(dāng)?shù)脑哟啬Ｐ停ㄟ^(guò)量子化學(xué)計(jì)算及SERSON電負(fù)性分析對(duì)黃銅中的電子分布規(guī)律及銅鋅電負(fù)性進(jìn)行了探討。結(jié)果顯示黃銅中銅鋅原子間存在一定的電子“均分”趨勢(shì)，使銅鋅原子間存在一定的成鍵作用，可以將SERSON等人提出的“電負(fù)性均衡原理”有條件地推廣到黃銅這類(lèi)合金體系中，正是這種銅鋅形成合金時(shí)所產(chǎn)生的電負(fù)性均衡，使得黃銅中的銅鋅與單質(zhì)狀態(tài)下的銅鋅相比，在化學(xué)性質(zhì)上發(fā)生了差異，且增強(qiáng)了黃銅的穩(wěn)定性，限制了黃銅中的鋅在鍍液中滲出?；瘜W(xué)鍍反應(yīng)在活性表面上發(fā)生，金屬表面的活性取決于金屬表面的性質(zhì)、還原劑及還原劑與金屬表面的作用方式三個(gè)要素。本文針對(duì)目前有關(guān)化學(xué)鍍鎳機(jī)理研究中的一些可能的化學(xué)反應(yīng)步驟提出了自己的看法，對(duì)有關(guān)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象作出的解釋與實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象基本相符。

簡(jiǎn)介：桃葉為薔薇科植物桃的葉子，在我國(guó)分布十分廣泛。桃葉含有多種具有生理活性的有效成分，這些有效成分在食品、醫(yī)藥等行業(yè)有著廣泛的用途。本文以從桃葉中獲得品質(zhì)優(yōu)良的有效成分產(chǎn)品為目標(biāo)，對(duì)桃葉中奎寧酸的提取、純化工藝和檢測(cè)方法進(jìn)行了深入的研究，并對(duì)桃葉中黃酮類(lèi)化合物進(jìn)行了初步的結(jié)構(gòu)鑒定，同時(shí)研究了桃葉有效成分的綜合提取工藝和抗氧化活性。本研究為進(jìn)一步開(kāi)發(fā)利用桃葉資源提供了理論依據(jù)和技術(shù)依據(jù)，具有一定的應(yīng)用價(jià)值。1、以桃葉為原料，采用溶劑法、超聲波輔助提取法和纖維素酶法提取桃葉奎寧酸，通過(guò)實(shí)驗(yàn)比較，確定溶劑提取法最適合產(chǎn)業(yè)化推廣，其最佳工藝為以水做提取溶劑、溫度62℃、時(shí)間4H、液固比401MLG，奎寧酸得率達(dá)到528％。2、確立了薄層層析法定性分析桃葉中奎寧酸的方法，分析條件為吸附劑，薄層層析硅膠；展開(kāi)劑，乙酸乙酯甲酸水72525，上層溶液；檢出，置紫外燈365NM下觀(guān)察?？鼘幩嵩谧贤鉄舻恼丈湎嘛@藍(lán)色熒光。3、采用大孔吸附樹(shù)脂對(duì)奎寧酸提取液進(jìn)行純化處理，確定了最佳純化工藝將提取液經(jīng)微膜過(guò)濾后，將濾液濃縮，配制成奎寧酸濃度為033MGML的上柱液，采用HPD400大孔吸附樹(shù)脂，上柱量5BV，吸附流速15MLMIN，解吸劑10％乙醇，解吸流速1MLMIN，采用此方法，可以得到純度為451％的奎寧酸純化物。4、采用有機(jī)溶劑提取法和纖維素酶法兩種方法提取桃葉中總黃酮，通過(guò)實(shí)驗(yàn)比較，確定有機(jī)溶劑提取法最適合產(chǎn)業(yè)化推廣，其最佳工藝為提取溫度60℃、乙醇濃度67％、提取時(shí)間4H、液固比221MLG，此條件下黃酮得率為363％。5、將桃葉黃酮提取液經(jīng)液液萃取、AB8大孔吸附樹(shù)脂、聚酰胺及SEPHADEXLH20柱反復(fù)純化后得四種物質(zhì)，經(jīng)薄層色譜、紫外掃描和紅外色譜綜合分析可以初步判定化合物Ⅰ為黃酮苷，其母核A環(huán)上無(wú)7OH，無(wú)鄰二酚羥基；B環(huán)上有3′OH和4′OH化合物Ⅱ不是黃酮類(lèi)化合物，其結(jié)構(gòu)中含有苯環(huán)，羥基和CH鍵；化合物Ⅲ為黃酮，其母核A環(huán)上無(wú)7OH，無(wú)鄰二酚羥基；B環(huán)上有4′OH，無(wú)3′OH化合物Ⅳ為柚皮素。6、通過(guò)對(duì)桃葉有效成分的綜合提取工藝研究發(fā)現(xiàn)最佳綜合提取工藝為先用石油醚提番茄紅素，再用水提奎寧酸，最后用甲乙醇混合溶劑提柚皮素。7、研究了桃葉中各有效成分（番茄紅素、柚皮素和奎寧酸）的抗氧化活性。研究表明番茄紅素、柚皮素和奎寧酸均可有效清除超氧陰離子、羥基自由基和DPPH自由基；桃葉中各有效成分抗氧化能力大小均依次為番茄紅素＞柚皮素＞奎寧酸。

簡(jiǎn)介：鋁合金具有比重小、比強(qiáng)度高、導(dǎo)電、導(dǎo)熱和加工性好等優(yōu)點(diǎn)已廣泛應(yīng)用在電器、機(jī)械、交通、裝飾、日用品等各個(gè)行業(yè)。但是鋁合金存在表面硬度低、耐磨性差、易產(chǎn)生晶界腐蝕等缺點(diǎn)。對(duì)鋁合金表面進(jìn)行強(qiáng)化處理可以顯著改善其應(yīng)用性能。本論文系統(tǒng)研究了鋁合金表面的前處理工藝和化學(xué)鍍鎳方案并在此基礎(chǔ)上探討了鋁合金表面化學(xué)鍍NIP／ΑAL2O3復(fù)合鍍層工藝和鍍層的主要性能特征。丙酮溶劑超聲波除油速度較快20MIN基本可以除盡大量油污但是基體表面仍然存在少量油跡采用熱堿液二次除油30MIN后可以徹底除凈鋁合金基體表面的各種油污；鋁合金表面被覆氧化膜如果不預(yù)先除去將嚴(yán)重影響鍍層的結(jié)合強(qiáng)度論文考察了堿浸蝕溫度和時(shí)間對(duì)浸蝕效果的影響鋁合金基體在75℃溫度下經(jīng)過(guò)30S浸蝕可以除去其表面大量氧化鋁膜但是難以除去其它合金元素氧化物采用氟化氫銨和硝酸混合物再次浸蝕可以獲得結(jié)合性能良好的銀白色活性表面；浸中間層是提高鋁合金表面鍍層性能的重要環(huán)節(jié)論文考察了浸鋅工藝對(duì)鋅合金膜的表面形貌和結(jié)合強(qiáng)度的影響結(jié)果表明經(jīng)過(guò)一次浸鋅、11硝酸褪鍍、二次浸鋅處理獲得的鋅合金膜質(zhì)量較好；通過(guò)正交試驗(yàn)優(yōu)化了鋁合金酸性化學(xué)鍍鎳的基礎(chǔ)配方優(yōu)化結(jié)果為NISO46H2O25G／L、NAH2PO2H2O25G／L、CHCOONA3H2O20G／L、C3H6O3乳酸20G／L；探討了十二烷基硫酸鈉SDS、PH、溫度對(duì)鍍層性能的影響當(dāng)SDS濃度為05G／L時(shí)鍍層表面幾乎無(wú)針孔、結(jié)晶細(xì)致均勻PH值高于478時(shí)鍍層光亮且硬度達(dá)500HV以上溫度在70℃左右時(shí)鍍層光亮無(wú)毛刺且結(jié)合力較好；探討了機(jī)械攪拌速率、ΑAL2O3濃度對(duì)復(fù)合鍍層性能的影響攪拌速率為300R／MIN、ΑAL2O3濃度為125G／L時(shí)復(fù)合鍍層光亮致密顯微硬度達(dá)到621HV結(jié)合力良好；探討了熱處理溫度對(duì)鍍層性能的影響在氬氣氣氛中于350℃下保溫1HNIP鍍層的顯微硬度可以提高至735HVNIP／ΑAL2O3復(fù)合鍍層的顯微硬度可以提高至1053HV；XRD測(cè)試結(jié)果表明NIP合金鍍層為非晶態(tài)經(jīng)過(guò)熱處理后鍍層轉(zhuǎn)化為晶態(tài)；EDS測(cè)試結(jié)果表明ΑAL2O3、NI、P質(zhì)量百分比分別為050％、1109％、8841％。

簡(jiǎn)介：隨著INTEMET技術(shù)的快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，INTEMET正在把個(gè)人、企業(yè)和政府緊密聯(lián)系起來(lái)，為社會(huì)和各行業(yè)動(dòng)態(tài)、準(zhǔn)確、高效地收集信息提供了技術(shù)支撐平臺(tái)。業(yè)內(nèi)先進(jìn)的軟件開(kāi)發(fā)管理技術(shù)和優(yōu)秀的開(kāi)發(fā)工具的出現(xiàn)，數(shù)據(jù)庫(kù)強(qiáng)大的組織管理能力，促進(jìn)了基于網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)軟件系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)和普及應(yīng)用。本文利用面向?qū)ο蟮能浖枨蠓治龊烷_(kāi)發(fā)方法UML，以研制開(kāi)發(fā)山東省石油化學(xué)工業(yè)網(wǎng)絡(luò)直報(bào)系統(tǒng)為例，深入研究了軟件工程在系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程中的應(yīng)用?；谲浖こ痰乃枷?，本文利用UML方法進(jìn)行了系統(tǒng)需求分析和建模，并對(duì)當(dāng)前流行的軟件開(kāi)發(fā)語(yǔ)言、開(kāi)發(fā)平臺(tái)、數(shù)據(jù)庫(kù)管理系統(tǒng)、中間件技術(shù)、數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)等關(guān)鍵內(nèi)容進(jìn)行了研究、分析和比較，在充分理解用戶(hù)現(xiàn)在和將來(lái)需求的基礎(chǔ)上，，參考借鑒山東省石油和化工協(xié)會(huì)現(xiàn)有系統(tǒng)及其它外部相關(guān)系統(tǒng)的功能，基于當(dāng)前WEB應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)直報(bào)業(yè)技術(shù)，確定了系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)和技術(shù)解決方案，從而保證山東省石油化學(xué)工業(yè)網(wǎng)絡(luò)直報(bào)系統(tǒng)的先進(jìn)性、穩(wěn)定性、擴(kuò)展性和安全可靠性。通過(guò)該系統(tǒng)將山東省石油化工行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)、重點(diǎn)產(chǎn)品納入系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)信息實(shí)時(shí)報(bào)送和匯總統(tǒng)計(jì)，及時(shí)反映石油化工業(yè)的規(guī)模、結(jié)構(gòu)和發(fā)展水平，及時(shí)監(jiān)測(cè)分析石油化工業(yè)的運(yùn)行情況，掌握重點(diǎn)化工企業(yè)的建設(shè)與發(fā)展情況，為制定全國(guó)化工業(yè)發(fā)展政策、加強(qiáng)政府引導(dǎo)和宏觀(guān)調(diào)控提供依據(jù)。開(kāi)發(fā)完成的山東省石油化學(xué)工業(yè)網(wǎng)絡(luò)直報(bào)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了報(bào)表模板的定義和修改、報(bào)表錄入、報(bào)表查詢(xún)、報(bào)表匯總和催報(bào)、報(bào)表上報(bào)等功能。

簡(jiǎn)介：?jiǎn)尉榛壊牧鲜抢^鍺、單晶硅之后發(fā)展起來(lái)的新一代半導(dǎo)體材料。它是目前最重要、最成熟的化合物半導(dǎo)體材料之一，主要應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域。由于砷化鎵屬于典型的硬脆材料，自身的塑性低，采用普通的加工技術(shù)及相應(yīng)的工藝參數(shù)加工，只會(huì)導(dǎo)致它的脆性崩裂去除而不會(huì)像金屬那樣在加工面上存在明顯的剪切流動(dòng)現(xiàn)象，并且當(dāng)切削力過(guò)大時(shí)，材料將發(fā)生脆性斷裂，這將影響到被加工表面的質(zhì)量和完整性。針對(duì)單晶砷化鎵片超精密加工的特點(diǎn)，本文圍繞納米氧化硅磨料凍制的冰盤(pán)作為拋光墊對(duì)單晶砷化鎵片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光開(kāi)展研究工作，探討了單晶砷化鎵片的切割加工、預(yù)加工、冰凍納米氧化硅磨料冰盤(pán)的制備與拋光等方面的內(nèi)容，其中單晶砷化鎵片的預(yù)加工主要包括研磨和游離磨料化學(xué)機(jī)械拋光兩部分，完成的主要工作及取得的成果包括1單晶砷化鎵片的切割工藝中，切割過(guò)程中線(xiàn)速度和進(jìn)給速度對(duì)切片表面質(zhì)量的影響較大。當(dāng)進(jìn)給速度較小時(shí)，提高切割的線(xiàn)速度可以顯著提高單晶砷化鎵片的表面粗糙度；當(dāng)進(jìn)給速度較大時(shí)提高線(xiàn)速度對(duì)單晶砷化鎵片的表面機(jī)糙度影響不大。2游離磨料化學(xué)機(jī)械拋光單晶砷化鎵片工藝中，采用PH值9～115的SIO2拋光漿料，壓力為008MPA時(shí)，表面粗糙度達(dá)到80NM；當(dāng)壓力增大到01MPA時(shí)，表面粗糙度達(dá)到781NM；當(dāng)壓力繼續(xù)增加到02MPA時(shí)，表面粗糙度達(dá)到至915NM。3采用維氏硬度計(jì)對(duì)單晶砷化鎵片進(jìn)行壓痕實(shí)驗(yàn)，分析了溫度對(duì)單晶砷化鎵片脆塑轉(zhuǎn)變機(jī)理的影響。在低于0244N的小載荷區(qū)時(shí)，單晶砷化鎵片的硬度隨著載荷的增大而增大，且無(wú)裂紋產(chǎn)生；在高于0244N的大載荷區(qū)時(shí)，砷化鎵片的硬度隨著載荷的增大而減小，伴隨著裂紋的產(chǎn)生和擴(kuò)展。4制備冰盤(pán)所采用的拋光液的配方主要包括納米二氧化硅拋光液原液、去離子水，去離子水與納米氧化硅磨料拋光液原液按照3∶1的比例進(jìn)行配比，采用H2O2將PH值調(diào)節(jié)到95～105之間，拋光液中納米二氧化硅濃度約為10％時(shí)，拋光液所制備的冰盤(pán)拋光效果良好。5采用開(kāi)放式模具和分層冷凍的方法凍結(jié)納米氧化硅磨料冰盤(pán)，明顯地減少了凍結(jié)過(guò)程中冰盤(pán)的內(nèi)應(yīng)力、裂紋、氣泡及雜質(zhì)的含量；同時(shí)采用透明的石英玻璃拋光夾具和UV粘結(jié)劑的固化，有效提高了拋光表面的質(zhì)量。6冰盤(pán)拋光單晶砷化鎵片實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，采用環(huán)境溫度為10±05℃、主軸轉(zhuǎn)速為100RPM、偏心距為50MM、拋光壓力為01MPA時(shí)，能夠獲得平均值為571NM的表面粗糙度，且中心的表面粗糙度值比邊緣的表面粗糙度值小，邊緣三點(diǎn)的平均粗糙度值為639NM，中心三點(diǎn)的平均粗糙度值為501NM。

簡(jiǎn)介：本論文工作圍繞2ΜM中紅外波段ALGAASSBINGAASSB多量子阱激光器和INGAASSBPIN探測(cè)器的特點(diǎn)和器件工藝中存在的問(wèn)題，對(duì)其相關(guān)材料的濕法干法刻蝕以及電化學(xué)CVECV載流子濃度剖面測(cè)量技術(shù)進(jìn)行了研究和改進(jìn)，取得了如下結(jié)果一研究了銻化物材料的濕法腐蝕機(jī)理并改進(jìn)了腐蝕工藝，對(duì)基于氫氟酸的兩種腐蝕液HFNAKTH2O2、HFH2O2的腐蝕特性進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這兩種腐蝕液對(duì)GASB和ALGAASSB的腐蝕速率穩(wěn)定，在較低的腐蝕液濃度時(shí)可對(duì)腐蝕速率進(jìn)行精確控制，腐蝕后材料表面平整光滑。在合適的AL組分下還可對(duì)這兩種材料進(jìn)行非選擇性腐蝕。二使用CL2AR作為刻蝕氣體對(duì)GAAS、GASB、INP和INAS四種材料進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕RIE的研究。分別研究了刻蝕氣體組分、偏置射頻功率以及刻蝕時(shí)間對(duì)刻蝕速率以及刻蝕形貌的影響。研究表明，在刻蝕GASB以及GAAS時(shí)刻蝕速率分別可達(dá)045ΜMMIN和12ΜMMIN，但是在刻蝕含銦的兩種材料時(shí)速率都很低＜40NMMIN。在所研究的大部分刻蝕反應(yīng)條件下，GAAS、INP和INAS的刻蝕面都可以保持平整光滑，但在GASB的刻蝕中，當(dāng)氯氣含量較高時(shí)，表面會(huì)變得較為粗糙。三對(duì)GASB、ALGAASSB以及INGAASSB材料進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體刻蝕，刻蝕使用BCL3AR作為刻蝕氣體。分別研究了刻蝕氣體組分、射頻自偏壓以及ICP源功率對(duì)材料刻蝕速率以及形貌的影響，并詳細(xì)討論了刻蝕過(guò)程中各階段的反應(yīng)機(jī)制。實(shí)驗(yàn)表明，相同條件下GASB和ALGAASSB的刻蝕速率大大高于INGAASSB的刻蝕速率。在所有研究采用的實(shí)驗(yàn)條件下對(duì)這兩種材料的刻蝕均能得到平整的刻蝕面和陡直的刻蝕臺(tái)階。此外，在相同實(shí)驗(yàn)條件下，GASB和ALGAASSB的刻蝕選擇比均接近1，這在脊波導(dǎo)銻化物激光器的刻蝕工藝中是非常有利的。四針對(duì)原有ECV載流子濃度測(cè)量銻基材料存在的問(wèn)題，提出了新的電解液配方，并對(duì)測(cè)量條件進(jìn)行了研究和選擇，在此基礎(chǔ)上獲得測(cè)量結(jié)果能夠與HALL測(cè)量數(shù)據(jù)相符合，從而對(duì)材料生長(zhǎng)和器件研究起到了更好的指導(dǎo)作用。此外，針對(duì)ECV技術(shù)原先在測(cè)量硅材料時(shí)存在的一些問(wèn)題，對(duì)電解液和測(cè)量條件進(jìn)行研究選擇，實(shí)現(xiàn)了超淺結(jié)＜50NM硅材料載流子濃度的準(zhǔn)確測(cè)量。

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簡(jiǎn)介：在離子膜燒堿制備工藝中，氯化鈉鹽水以305±5GL的濃度送入離子膜電解槽，通電電解后返回出來(lái)的淡鹽水濃度為210±5GL，其中溶解有700～800MGL的氯氣，這部分淡鹽水回到鹽水制備工序，通過(guò)加入固體鹽和高濃度鹽水將濃度增濃至305±5GL后，經(jīng)過(guò)精制達(dá)標(biāo)后送入電解槽重復(fù)使用。為了合理利用這部分淡鹽水，從環(huán)保、職業(yè)衛(wèi)生保護(hù)和設(shè)備保護(hù)角度考慮，必須去除這部分淡鹽水中的游離氯。傳統(tǒng)的脫氯工藝是先將鹽水調(diào)至酸性范圍，進(jìn)行真空物理脫氯，將游離氯含量降至30MGL左右，然后再調(diào)至堿性范圍內(nèi)通過(guò)亞硫酸鈉或二氧化硫與游離氯進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)進(jìn)一步脫除游離氯，稱(chēng)為化學(xué)脫氯。這種傳統(tǒng)的化學(xué)脫氯工藝目前在國(guó)內(nèi)外離子膜燒堿裝置上普遍使用，工藝相對(duì)也比較成熟，但是這種脫氯工藝會(huì)造成脫氯反應(yīng)生成的產(chǎn)物硫酸鈉在鹽水中的富集，而富集濃度達(dá)到10GL就會(huì)對(duì)離子膜電解的正常運(yùn)行產(chǎn)生影響，富集達(dá)到一定值，在高濃度的鹽水中會(huì)產(chǎn)生結(jié)晶，從而導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行不暢，因此必須采取進(jìn)一步的處理工藝對(duì)硫酸根進(jìn)行脫除，而這樣就增加了設(shè)備投入和運(yùn)行成本。本論文主要探討了采用雙氧水替代亞硫酸鈉或二氧化硫作為化學(xué)脫氯劑使用的可行性，利用雙氧水與游離氯進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物對(duì)離子膜電解以及整個(gè)系統(tǒng)不產(chǎn)生影響的特性，研究了雙氧水在給定實(shí)驗(yàn)條件下的脫氯效果、反應(yīng)控制指標(biāo)和控制方法，并且對(duì)使用這種新方法進(jìn)行脫氯，應(yīng)用到生產(chǎn)裝置上后因減少固廢排放對(duì)環(huán)境保護(hù)和職業(yè)衛(wèi)生保護(hù)帶來(lái)的效果，以及使用雙氧水替代亞硫酸鈉或二氧化硫脫氯后所產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益進(jìn)行測(cè)算。

簡(jiǎn)介：作為材料表面處理技術(shù)的一種，化學(xué)鍍銅技術(shù)因其鍍層具有分散能力好、無(wú)明顯的邊緣效應(yīng)和導(dǎo)電性能良好等諸多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子、機(jī)械、航天等工業(yè)領(lǐng)域。隨著電子工業(yè)的不斷發(fā)展，尤其是微電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)應(yīng)用于此領(lǐng)域的化學(xué)鍍銅技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求。目前，作為化學(xué)鍍銅溶液中的還原劑，甲醛和次磷酸鈉的應(yīng)用最為廣泛且工藝成熟，可是，考慮到環(huán)境因素及鍍層質(zhì)量等問(wèn)題，亟需尋求一種性能更優(yōu)異的化學(xué)鍍銅體系。其中，乙醛酸的應(yīng)用前景非常廣闊，很有可能會(huì)代替甲醛或次磷酸鈉，但其工藝仍需進(jìn)一步地研究。本文針對(duì)應(yīng)用于電子工業(yè)領(lǐng)域的化學(xué)鍍銅技術(shù)，主要對(duì)塑料材料的導(dǎo)電化處理做出相關(guān)研究，優(yōu)化了塑料的前處理及乙醛酸化學(xué)鍍銅的工藝參數(shù)。首先，通過(guò)參數(shù)對(duì)比，選擇力學(xué)性能及電性能優(yōu)良的聚砜材料針對(duì)聚砜材料的化學(xué)鍍銅前處理工藝，優(yōu)化粗化方法，在二氯乙烷與無(wú)水乙醇體積比2∶3的有機(jī)溶劑里處理15MIN后，用CRO3400GL，H2SO498％250MLL溶液，在60℃下處理5MIN，得到的粗化表面均勻性和親水性較好通過(guò)比較敏化后水洗溫度條件對(duì)鍍層完整性的影響，確定敏化工藝后水洗的溫度為40℃左右。其次，通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定化學(xué)鍍銅的工藝參數(shù)為CUNO323H2O20GL，CHOCOOHH2O15GL，NA2EDTA45GL，亞鐵氰化鉀10MGL，2，2聯(lián)吡啶10MGL，PH值為13，溫度為55℃采用單因素實(shí)驗(yàn)，考察工藝參數(shù)對(duì)乙醛酸化學(xué)鍍銅的沉積速率、鍍液的穩(wěn)定性和鍍層電阻率的影響比較沉積速率與電阻率的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)基本上隨著沉積速率的升高，銅鍍層的電阻率則有所降低得到的銅鍍層電阻率最小值為238ΜΩCM對(duì)優(yōu)化工藝條件下得到的銅鍍層成分進(jìn)行定性分析，發(fā)現(xiàn)其組成成分只有CU元素，而當(dāng)PH≤12時(shí)，鍍層中O元素含量增加，表明乙醛酸在較低PH值條件下，還原能力較弱，容易發(fā)生副反應(yīng)，而生成CU2O雜質(zhì)，使得鍍層發(fā)黑發(fā)暗PH值在125～13范圍內(nèi)得到的鍍層均勻性與致密性較好。

簡(jiǎn)介：石油、煤、天然氣是全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)能源但都是不可再生的礦物能源。當(dāng)今新能源開(kāi)發(fā)中太陽(yáng)能、風(fēng)能是其中的佼佼者。利用太陽(yáng)能發(fā)電打造“低碳經(jīng)濟(jì)”已經(jīng)從概念走上現(xiàn)實(shí)舞臺(tái)光伏技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化已被世界多個(gè)國(guó)家列入高技術(shù)能源專(zhuān)項(xiàng)。染料敏化太陽(yáng)能電池DSC又稱(chēng)做GRATZEL電池利用了有機(jī)和無(wú)機(jī)復(fù)合材料的優(yōu)點(diǎn)及納米尺度上出現(xiàn)的新性能為光伏技術(shù)提供發(fā)展新機(jī)遇已經(jīng)成為新一代薄膜太陽(yáng)能電池的研究熱點(diǎn)。與傳統(tǒng)PN結(jié)太陽(yáng)電池相比DSC的最大特點(diǎn)是其光吸收和電荷分離傳輸是分別由不同的物質(zhì)完成的光的捕獲是由敏化劑完成吸附在電極表面的敏化劑分子受光激發(fā)產(chǎn)生光生電子。寬帶隙納米晶氧化物半導(dǎo)體起到固定染料、電子收集和傳導(dǎo)的作用。DSC研究工作主要集中在無(wú)機(jī)納米氧化物半導(dǎo)體薄膜制備及微結(jié)構(gòu)優(yōu)化、有機(jī)敏化染料合成、電子輸運(yùn)過(guò)程理論研究、電解質(zhì)開(kāi)發(fā)等方面。但是現(xiàn)在的研究主要集中于稀有金屬釕配合物敏化染料和多孔TIO2薄膜的合成和應(yīng)用上在實(shí)際應(yīng)用中稀有金屬釕價(jià)格昂貴電池成本高。與此同時(shí)釘敏化染料的吸收光譜與太陽(yáng)光譜不匹配從而降低了光吸收效率并且TIO2薄膜多孔性雖然有利于染料的吸附但是其中的光生電子在ITO／電解質(zhì)界面易產(chǎn)生電荷復(fù)合降低電池光電轉(zhuǎn)換效率等。因此開(kāi)發(fā)高效、低成本、寬光譜響應(yīng)的染料電池具有積極意義。本論文的研究目標(biāo)在于結(jié)合有機(jī)敏化染料、無(wú)機(jī)納米半導(dǎo)體材料各自的優(yōu)點(diǎn)優(yōu)化加工工藝以提高。TIO2薄膜對(duì)光的吸收、拓寬光譜響應(yīng)范圍、加快電子在回路中的傳輸和降低電荷復(fù)合。采取的手段包括陽(yáng)極薄膜制備及其微結(jié)構(gòu)優(yōu)化光吸收范圍寬的酞菁類(lèi)染料分子的合成敏化方式的優(yōu)化以及結(jié)合交流阻抗技術(shù)和等效電路初步探討薄膜微結(jié)構(gòu)對(duì)電子在TIO2薄膜中傳輸阻抗等性質(zhì)的影響具體內(nèi)容如下1、TIO2薄膜的制備及成膜工藝的優(yōu)化利用電化學(xué)沉積法制備TIO2阻擋層采用X射線(xiàn)衍射、掃描電鏡對(duì)膜層的形貌和晶型進(jìn)行了分析和表征考察了電沉積時(shí)間對(duì)膜層厚度的影響利用循環(huán)伏安研究了薄膜電化學(xué)性質(zhì)并通過(guò)ⅠⅤ曲線(xiàn)研究了膜層厚度與光電流密度的關(guān)系。結(jié)果表明以三氯化鈦為電解液恒電位01V電沉積2030分鐘制備得到TIO2粒徑為193NM的致密納米薄膜薄膜表面平整。在此條件下膜厚為300500NM時(shí)光電流密度最高。電化學(xué)分析顯示電沉積致密層TIO2薄膜改善了TIO2與ITO基底的附著力提高了薄膜穩(wěn)定性從而有效地抑制了暗反應(yīng)。為了優(yōu)化納米晶薄膜電極微結(jié)構(gòu)和膜厚以提高染料吸附量本論文采用了添加非離子表面活性劑聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、曲拉通改性等工藝手段以制備大比表面多孔TIO2薄膜。結(jié)果表明添加聚乙烯吡咯烷酮對(duì)提高比表面積最有效其中添加25WT％～5WT％聚乙烯吡咯烷酮可以有效地抑制TIO2納米顆粒團(tuán)聚。通過(guò)改變絲網(wǎng)印刷層數(shù)控制TIO2膜厚光電性質(zhì)測(cè)試表明納米晶TIO2膜厚是影響電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素。將上述優(yōu)化的TIO2薄膜進(jìn)行了復(fù)合形成雙層電極電池ⅠⅤ測(cè)試結(jié)果表明短路電流密度JSC由常規(guī)單層多孔TIO2薄膜的0585MA／CM2顯著地提高到119MA／CM2。這項(xiàng)結(jié)果說(shuō)明電沉積層致密TIO2薄膜在ITO與多孔TIO2薄膜之間起著橋梁作用雙層結(jié)構(gòu)即能保證染料負(fù)載量又能有效抑制電荷復(fù)合反應(yīng)從而提高電池效率。2、酞菁類(lèi)染料的合成及其光譜性質(zhì)。采用固相催化合成法制備了四氨基取代酞菁TAPCMMCONICUZN四羧基取代酞菁TCPCMMZNGARU四磺酸基取代酞菁TSPCMMZNGARU等三類(lèi)金屬酞菁配合物。光譜分析表明酞菁配合物近紅外600800NM區(qū)域存在著較強(qiáng)的吸收譜帶。取代基不同、中心金屬不同Q帶ΛMAX值變化明顯。能帶結(jié)構(gòu)分析結(jié)果表明所制備的酞菁類(lèi)染料均滿(mǎn)足DSC電池對(duì)能級(jí)的匹配要求為光生電子從染料激發(fā)態(tài)注入到TIO2導(dǎo)帶提供了熱力學(xué)可能性。利用循環(huán)伏安曲線(xiàn)詳細(xì)研究了三種取代酞菁光敏劑的氧化還原過(guò)程。多次循環(huán)掃描的結(jié)果顯示峰電流隨著掃描次數(shù)的增加而升高。該結(jié)果表明沉積在TIO2表面酞菁環(huán)的排列有序度提高從而增強(qiáng)了電極電化學(xué)活性。光譜分析顯示將酞菁化合物作為光敏劑拓寬了敏化納米晶TIO2電極的光譜響應(yīng)進(jìn)一步證實(shí)染料敏化太陽(yáng)能電池中酞菁具有良好的光致電荷轉(zhuǎn)移作用。3、敏化方式的優(yōu)化以恒電位沉積法制備TCPCM、TSPCM敏化TIO2電極考察了不同沉積電位對(duì)敏化電極的光電性質(zhì)的影響。對(duì)TCPCM而言低電位沉積開(kāi)路電壓與短路電流都較小但是隨著沉積電位升高開(kāi)路電壓、短路電流增加。ⅠⅤ曲線(xiàn)測(cè)試結(jié)果表明在0106V沉積電位內(nèi)04V沉積電位所制得的敏化電極的電壓最大此時(shí)對(duì)于不同中心金屬配位酞菁敏化劑的開(kāi)路電壓TCPCGATCPCZNTCPCRU分別依次為是442432338MV。光電流密度在沉積電位為03V時(shí)最大其中TCPCGATCPCRUTCPCZN分別為093106140384MA／CM2。由此可以看出光電性能均以TCPCGA為最佳。在電沉積敏化過(guò)程中羧基取代酞菁光敏電極的電壓和電流均高于磺酸基和氨基取代酞菁。對(duì)于在過(guò)高電位沉積制備的敏化電極電壓反而下降表明金屬酞菁在過(guò)高電壓下酞菁大環(huán)結(jié)構(gòu)被破壞從而降低了染料對(duì)光的吸收。對(duì)自組裝吸附、電沉積、一步電沉積三種敏化方式制備的敏化電極光電性能進(jìn)行了比較發(fā)現(xiàn)電沉積法制備的光敏電極表現(xiàn)出較好的電子轉(zhuǎn)移特性電壓和電流均高于自組裝與一步電沉積法制得的電極。4、薄膜電極電子傳輸過(guò)程及等效電路的探討采用交流阻抗技術(shù)對(duì)薄膜電極電子傳輸過(guò)程進(jìn)行了探討建立了描述電極電子傳輸過(guò)程的等效電路模型RSRCTCPEWO。根據(jù)該等效電路模型用擬合軟件對(duì)電荷傳輸阻抗和界面電容等性質(zhì)進(jìn)行了擬合。計(jì)算出空白ITO電極參數(shù)分別為溶液電阻約為1745Ω電荷傳輸阻抗為1714Ω電容444ΜF(xiàn)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符。對(duì)于TIO2／ITO電極用該模型分析了它們的界面組成發(fā)現(xiàn)TIO2／ITO薄膜電極含有三個(gè)界面即ITO薄層、ITO｜TIO2膜層以及TIO2表面電解液NERNST擴(kuò)散薄液膜層。進(jìn)一步對(duì)電子在STIO2／ITOETIO2／ITOTTIO2／ITO三種電極上傳輸過(guò)程進(jìn)行模型分析顯示三種電極阻抗譜的主要差別在于電子在TIO2層傳輸?shù)牟煌枇ΑＥc空白ITO電極阻抗1714Ω比較STIO2／ITO與ETIO2／ITO電極的阻抗分別為476Ω、5914Ω暗示提高光電性能的關(guān)鍵在于減小TIO2層的電子傳輸阻力。這些結(jié)果表明該模型可以很好地描述電子在TIO2電極中的傳輸過(guò)程。染料敏化TIO2／DYE薄膜電極的分析結(jié)果表明敏化TIO2電極阻抗譜為兩個(gè)相連的半圓形分別對(duì)應(yīng)于TIO2薄膜｜染料｜電解質(zhì)界面的電子傳輸阻力以及電極內(nèi)表面電解液薄液膜NERNST擴(kuò)散傳質(zhì)。一步電沉積敏化的TIO2／DYE薄膜電極的總阻抗較電沉積敏化、自組裝吸附敏化要小一些有助光生電子在染料、TIO2納米顆粒間有效傳遞。

簡(jiǎn)介：鎂合金具有密度低、比強(qiáng)度高、散熱性能好等特點(diǎn)使其在汽車(chē)、通訊電子、航空航天上廣泛使用。但鎂合金耐蝕性差制約了其在實(shí)際領(lǐng)域中的應(yīng)用。通過(guò)化學(xué)鍍鎳形成的鍍層具有耐蝕耐磨的特點(diǎn)使其成為鎂合金表面處理研究中的熱點(diǎn)。本文以AZ91D鎂合金壓鑄件為實(shí)驗(yàn)材料系統(tǒng)地研究了浸蝕、酸洗活化堿性預(yù)鍍、化學(xué)鍍鎳液組成及工藝、鍍液補(bǔ)加周期等對(duì)鍍層質(zhì)量的影響。利用三維視頻顯微系統(tǒng)、掃描電子顯微鏡SEM、能譜分析儀EDX、X射線(xiàn)衍射儀XRD、電化學(xué)工作站等儀器分析了鎂合金化學(xué)鍍層的表面形貌與性能初步探討了本實(shí)驗(yàn)工藝的市場(chǎng)可行性。主要研究結(jié)果如下在浸蝕過(guò)程中磷酸起到腐蝕與粘性成膜的作用磷酸濃度為650MLL浸蝕時(shí)間24MIN浸蝕溫度3040℃得到的浸蝕表面良好。通過(guò)單因素和正交實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)磷酸鹽4GL、水50MLL、乳酸50MLL、磷酸10MLL、硝酸16MLL、酸洗時(shí)間120S、酸洗溫度1530℃時(shí)得到的鍍鎳層外觀(guān)良好。分析了優(yōu)化后酸洗膜層與化學(xué)鍍層的性能發(fā)現(xiàn)酸洗后鎂合金Α相衍射峰減弱Β相衍射峰增強(qiáng)鎳鍍層由非晶態(tài)NIP合金相構(gòu)成鍍層表面由不同大小胞狀結(jié)構(gòu)緊密排列構(gòu)成磷含量為1031％質(zhì)量分?jǐn)?shù)化學(xué)鍍90MIN鍍層厚度可達(dá)到25ΜM以上鍍層硬度為41620HV比鎂基體提高三倍鍍層的自腐蝕電位比鎂基體正移1V腐蝕電流比鎂基體降低3個(gè)數(shù)量級(jí)。研究發(fā)現(xiàn)堿性鍍層表面凸凹不平磷含量566質(zhì)量分?jǐn)?shù)自腐蝕電位比鎂基體提高085V腐蝕電流比鎂基體低一個(gè)數(shù)量級(jí)堿性預(yù)鍍與中性加厚的方式可以提高鍍層的表面平整度提高鍍層耐蝕性通過(guò)單因素實(shí)驗(yàn)以沉積速率、孔隙率與表面形貌優(yōu)化了化學(xué)鍍鎳液組成和工藝硫酸鎳1830GL、次磷酸鈉1624GL配位劑612GL乙酸鈉69GL氫氟酸1218MLL穩(wěn)定劑24MGL鍍鎳溫度8085℃鍍鎳時(shí)間1H裝載量60100CM2L。長(zhǎng)周期研究發(fā)現(xiàn)不同周期的沉積速率在1724ΜMH變化穩(wěn)定常數(shù)隨周期的增加而下降但依然在50以上說(shuō)明鍍液可以長(zhǎng)周期使用。隨鍍鎳周期的增加鍍層中鎂的特征衍射峰增強(qiáng)NIP合金非晶態(tài)衍射峰減弱鍍層中磷含量下降。通過(guò)對(duì)本工藝與DOW浸鋅工藝的成本核算發(fā)現(xiàn)本實(shí)驗(yàn)工藝單位面積成本比DOW浸鋅工藝單位面積成本低三分之二以上并且使用無(wú)毒環(huán)保的前處理工藝減少了有毒物質(zhì)對(duì)操作人員及環(huán)境的危害。