低壓功率VDMOSFET參數(shù)優(yōu)化及柵電荷研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文是與海外某公司合作研究的課題。低壓功率 VDMOSFET在開關電源、功率電機控制和橋式電路等應用中十分廣泛，以上應用電路都要求功率 MOS具有良好的開關速率和高效性能。本項目主要針對影響器件開關速率和高效性能的反向恢復電荷、柵電荷進行優(yōu)化和改進。
　　論文先對器件基本特性參數(shù)(Vth、Qrr、VBR、Ron、Qg)進行了詳細分析，之后為降低器件反向恢復電荷進行了結構優(yōu)化，器件優(yōu)化后反向恢復電荷減小了30.1％，達到了項目的要

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