半導(dǎo)體物理學(xué)復(fù)習(xí)提綱2011-6-25_第1頁
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文檔簡介

1、試卷結(jié)構(gòu)：試卷結(jié)構(gòu)：一、選擇題（每小題一、選擇題（每小題2分，共分，共30分）分）二、填空題二、填空題(每空每空2分，共分，共30分)三、簡答題（三、簡答題（2小題，共小題，共20分）分）四、計算與證明題（每小題四、計算與證明題（每小題10分，共分，共20分）分）計算1題(需要計算器)，證明1題第二章半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級基本概念：施主雜質(zhì)，受主雜質(zhì)，雜質(zhì)的電離能，雜質(zhì)的補償作用。2.2Ⅲ—Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)

2、能級雜質(zhì)的雙性行為第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布熱平衡載流子概念3.1狀態(tài)密度定義式：；()gEdzdE?導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)密度：；????321232()4nccmgEVEEh???價帶頂附近的狀態(tài)密度：????321232()4pvVmgEVEEh???3.2費米能級和載流子的濃度統(tǒng)計分布Fermi分布函數(shù)：；??01()1expFfEEEkT???????Fermi能級的意義：它和溫度、半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、雜質(zhì)的含量以及能量零點的

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