高中化學(xué)選修三簡答題

1、選修三問題答案選修三問題答案1.解釋Fe3O4晶體能導(dǎo)電的原因：電子可在兩種不同價(jià)態(tài)的鐵離子間快速發(fā)生移動(dòng)2.Ge、C同主族元素，C原子之間可形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵：Ge原子半徑大，原子間形成的6單鍵較長，p—p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵3.從原子結(jié)構(gòu)的角度解釋CaCO3的熱分解溫度低于SrCO3的原因：Ca2半徑小于Sr2，Ca2更易結(jié)合CO32—中的O，使CO32—更易分解為CO24

2、.H3BO3為一元弱酸，解釋原因：H3BO3分子可與水分子形成配位鍵，產(chǎn)生[B(OH)4]—和一個(gè)H5.冰中氫鍵的作用能為18.8KJmol，而冰的熔化熱為5.0KJmol，解釋原因：液態(tài)水中仍然存在大量氫鍵（或冰融化時(shí)只破壞了部分氫鍵）6.銅與鎳的第二電離能分別為ICu=1958KJmol、INi=1753KJmol，ICu＞INi的原因：Cu失去的是全充滿的3d10電子，Ni失去的是4s1電子7.元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣

3、態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能（E1）。第二周期除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大，原因是：同一周期，從左往右，元素的非金屬性逐漸增強(qiáng)，得電子能力逐漸增強(qiáng)，形成的簡單陰離子越穩(wěn)定，釋放出的能量越多，因此第一電子親和能逐漸增大氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是：由于氮元素的2p軌道為半充滿結(jié)構(gòu)，能量較低，相對(duì)穩(wěn)定，不易結(jié)合一個(gè)電子，釋放能量較低8.請(qǐng)解釋加入乙醇后析出[Cu(NH3)4]SO4?2H2O晶體的原因：乙醇分子

4、極性比水分子極性弱，加入乙醇降低溶劑極性，從而減小溶質(zhì)的溶解度(重)9.H3AsO4是三元弱酸，其各步對(duì)應(yīng)的電離常數(shù)相差較大的原因：每電離一步都會(huì)生成帶電量更大的負(fù)離子，較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的H10、氯化鋁的熔點(diǎn)為190℃，而氟化鋁的熔點(diǎn)為1290℃，導(dǎo)致這種差異的原因?yàn)锳lCl3是分子晶體，而AlF3是離子晶體。11、氧元素的第一電離能小于氮元素，原因是：氮原子的2p軌道處于較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài)而氧原子的不是刪：氧原子的原子核對(duì)電

5、子的吸引能力弱于氟離子。12、穩(wěn)定性H2SH2Se的原因是：補(bǔ)：S原子半徑比Se小，SH鍵的鍵能比SeH鍵的鍵能大。13、P4O10的沸點(diǎn)明顯高于P4O6，原因是：①硅與碳同族也有系列氫化物但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多原因是：C—H鍵和C—C鍵較強(qiáng)，所以形成的烷烴穩(wěn)定，而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以形成②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是：C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比

6、C—O鍵穩(wěn)定，而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵。23、夾角大小比較：（1）孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的斥力大于成鍵電子對(duì)之間的斥力，斥力大，鍵角大（2）構(gòu)型，中心原子的雜化方式24、碳酸和磷酸均有1個(gè)非羥基氧，但磷酸是中強(qiáng)酸，碳酸是弱酸的原因：溶于水的二氧化碳分子只有百分之一與水結(jié)合成碳酸，與按二氧化碳全部轉(zhuǎn)化為碳酸分子來估算的強(qiáng)度相比，自然就小了近百倍25、熔沸點(diǎn)問題分子晶體：從

7、分子間作用力的角度作答（范德華力和氫鍵）（1）H2O沸點(diǎn)高于H2S的原因：H2O分子間存在氫鍵（2）SiH4沸點(diǎn)高于CH4的原因：SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量大。分子間作用力大（范德華力大），熔沸點(diǎn)高原子晶體：從半徑、鍵長、鍵能角度答（1）氮化硼（BN）和磷化硼（BP）都是受到高度關(guān)注的耐磨涂料，它們的結(jié)構(gòu)相似，但是氮化硼晶體的熔點(diǎn)要比磷化硼晶體高，其原因是_氮化硼（BN）和磷化硼（BP）都屬于原子晶體，而氮原子的半徑比磷原子小，BN共價(jià)鍵鍵

8、長比BP短，鍵能大，所以氮化硼晶體的熔點(diǎn)要比磷化硼晶體高；離子晶體：從半徑、電荷、晶格能角度答（1）從結(jié)構(gòu)角度分析并比較CoF2與CoCl2晶體的熔點(diǎn)高低氟離子半徑比氯離子半徑小，CoF2的晶格能比CoCl2晶格能大，則CoF2比CoCl2的熔點(diǎn)高；（2）CuSO4的熔點(diǎn)為560℃，Cu(NO3)2的熔點(diǎn)為115℃，CuSO4熔點(diǎn)更高的原因是CuSO4和Cu(NO3)2和均為離子晶體，SO42所帶電荷比大，故晶格能較大，熔點(diǎn)較高（3）A

9、l、Mg的氯化物晶格能分別是5492kJmol1、2957kJmol1，二者相差很大的原因是Al3比Mg2電荷高、半徑小，故AlF3的晶格能比大得多金屬晶體：從半徑、電荷角度答(1)K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是由于K原子的半徑比較大而且價(jià)電子數(shù)較少，其純金屬存在的金屬鍵的強(qiáng)度沒有的高，所以其熔沸點(diǎn)較低?？偨Y(jié)：一般來說熔沸點(diǎn)原子晶體離子晶體金屬晶體分子晶體從結(jié)構(gòu)的角度分析Si