版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著信息社會(huì)的高速發(fā)展,互聯(lián)網(wǎng)+和工業(yè)4.0的提出以及多媒體娛樂設(shè)備的快速更新?lián)Q代,新的通信標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)具有更快的傳輸速度和總線交流的能力。MLVDS(Multipoint-Low-Voltage Differential Signaling)又稱多點(diǎn)LVDS是LVDS的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)結(jié)構(gòu)向總線方向的延伸。它的低功耗,高速度和杰出的噪聲抑制能力讓其在現(xiàn)代社會(huì)得到了廣泛的應(yīng)用,發(fā)展迅速。
本文回顧了MLVDS的發(fā)展歷史和國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀。在深
2、入理解其TIA/EIA-899標(biāo)準(zhǔn)后,明確了MLVDS接收器設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的主要問題。圍繞這些設(shè)計(jì)的主要問題,提出了新穎的設(shè)計(jì)思路,并把接收器電路分為三個(gè)主要模塊:電壓壓縮保持電路,兼容轉(zhuǎn)換電路和帶模式選擇的比較器電路。
電壓壓縮保持電路首先針對(duì)端電壓的寬輸入范圍-1.4V-3.8V,利用電阻分壓原理,使其輸入端電壓被壓縮在電源電壓的范圍內(nèi)。隨后,把一端輸出電壓作為負(fù)反饋并使用參考電壓為基準(zhǔn)來保持這一端的輸出電壓在參考電壓附近
3、。最后,利用電流鏡電路,獲得對(duì)稱性的電阻分壓,使輸出的差分電壓和輸入基本保持不變。這樣的設(shè)計(jì)不僅簡化了后續(xù)的兼容轉(zhuǎn)換電路,而且也保證了比較器電路的輸入始終保持在其輸入共模范圍ICMR(Input Common Mode Range)內(nèi)。
在兼容轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)中,針對(duì)Type-1和2型閾值電壓間的聯(lián)系,本文提出了一個(gè)新穎的利用基本的電流鏡和MOSFET飽和區(qū)電流模型的電平移位電路,并建立模型,從理論上分析了其最大誤差。
4、 帶模式選擇的比較器電路完成了Type-1和2型的模式選擇,并放大差分信號(hào)和輸出CMOS電平。
本文基于SMIC65nm1P9M庫,使用Cadence軟件在每個(gè)模塊的設(shè)計(jì)中做了功能仿真。隨后,在分析了本設(shè)計(jì)應(yīng)該采用的版圖繪制策略的基礎(chǔ)上,基于SMIC65nm1P9M工藝完成了MLVDS接收器的版圖設(shè)計(jì)。最后,利用Hercules和StarRC軟件聯(lián)合抽取了所繪版圖的寄生參數(shù),并利用HSpice軟件對(duì)含有寄生參數(shù)的設(shè)計(jì)做了后仿真
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 65nm SRAM的設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm工藝的存儲(chǔ)器可測(cè)性設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm CMOS工藝的高速SRAM設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm CMOS工藝的低功耗觸發(fā)器設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm CMOS的快速響應(yīng)LDO設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm工藝的256Bit eFuse設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm的低功耗設(shè)計(jì)與等價(jià)性驗(yàn)證.pdf
- 基于65nm工藝的Rijndael加密算法ASIC設(shè)計(jì).pdf
- 65nm NOR型閃存芯片RTS噪聲研究.pdf
- 65nm工藝下6.25gbpsserdes發(fā)送器的設(shè)計(jì)
- 基于65nm工藝新型SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì).pdf
- 一個(gè)65nm低壓差線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì).pdf
- 應(yīng)用于Cache的65nm高速SRAM設(shè)計(jì).pdf
- 基于65nm DDR PHY數(shù)字后端設(shè)計(jì)方法的研究.pdf
- 65nm內(nèi)嵌FPGA振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)方法的研究.pdf
- 65nm溝槽刻蝕工藝研發(fā).pdf
- 65nm SoC芯片低功耗設(shè)計(jì)的物理實(shí)現(xiàn).pdf
- 基于65nm工藝嵌入式存儲(chǔ)器MBIST電路的研究.pdf
- 基于65nm技術(shù)平臺(tái)的低功耗嵌入式SRAM設(shè)計(jì).pdf
- 65nm CMOS工藝28Gb-s EAM驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì).pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論