有機(jī)半導(dǎo)體薄膜器件中的電荷輸運(yùn)研究.pdf

1、近年來(lái)，有機(jī)固體電子器件的研究已經(jīng)成為一個(gè)熱點(diǎn)，并取得長(zhǎng)足的進(jìn)展，逐漸應(yīng)用在現(xiàn)實(shí)生活中，但進(jìn)一步開(kāi)發(fā)穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)、功耗低的電子器件是現(xiàn)階段以及今后研究工作的主要目標(biāo)。相比實(shí)驗(yàn)研究取得的巨大成就，人們對(duì)有機(jī)電子器件工作的物理機(jī)理的掌握尚顯不足，這嚴(yán)重制約了有機(jī)電子器件性能的提高。由于有機(jī)半導(dǎo)體器件載流子的輸運(yùn)機(jī)理不同于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體器件，所以建立一套適用于有機(jī)半導(dǎo)體器件載流子輸運(yùn)機(jī)理的理論模型非常的重要。基于此，本論文作了如下工作：

2、 1 在歐姆注入條件下，推導(dǎo)了以無(wú)陷阱有機(jī)半導(dǎo)體為功能層的單層單載流子器件的電流——電壓的關(guān)系，對(duì)存在陷阱的情況，數(shù)值研究了器件電流隨薄膜厚度和相對(duì)陷阱深度的變化關(guān)系，模擬了器件中電勢(shì)、電場(chǎng)以及載流子濃度的空間分布，提出了判斷電流傳導(dǎo)的一種新的判據(jù)。對(duì)于雙極性單層有機(jī)器件，在考慮了陷阱以及電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)載流子遷移率的影響的基礎(chǔ)上，研究了器件的電流方程，解釋了在相同的外加電壓下，雙極性單層器件的電流密度大于單極性單層器件的原因。 2

3、 對(duì)金屬電極和有機(jī)層界面處的載流子注入模型作了論述，建立了一種新的熱電子注入模型，解釋了空穴從ITO陽(yáng)極注入到有機(jī)半導(dǎo)體G1-para-Ir(ppy)<,3>的注入機(jī)制。 3 考慮電流的體限制和注入限制后，研究了在低電場(chǎng)下非歐姆注入時(shí)溫度對(duì)單層有機(jī)發(fā)光器件的J-V特性、有機(jī)層內(nèi)載流子濃度和電場(chǎng)分布的影響。 4 對(duì)于雙層有機(jī)發(fā)光器件，計(jì)算和分析了最優(yōu)厚度比(D<,p>/d<,n>)<,opt>隨特征陷阱能量、總陷阱密度和載